STP20NM60FP

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
STP20NM60FP (ST MICROELECTRONICS)	84	497.82
STP20NM60FP	113	433.28

Версия для печати

Технические характеристики STP20NM60FP

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	MDmesh™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	290 mOhm @ 10A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	20A
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	54nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1500pF @ 25V
Power - Max	45W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3 Full Pack
Корпус	TO-220FP

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

STP20NM60FP (MOSFET)

N-channel 600V - 0.25? - 20A - TO-220FP MDmesh™ Power MOSFET

Производитель:
STMicroelectronics

STP20NM60FP datasheet
439.1 Кб

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
22МКФ 450 (16X25)105°C
7-0051 / NP-205 STEREO 6.35 MM				19.52
7-0051 / NP-205 STEREO 6.35 MM				19.52
HA17393
HA17393		HIT
HA17393
HA17393		4-7 НЕДЕЛЬ	784
TV-414				13.76
TV-414				13.76
TV-414		DRAGON CITY
W27C512-45Z	Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	WINBOND	536	299.63
W27C512-45Z	Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	WIN
W27C512-45Z	Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	Winbond Electronics
W27C512-45Z	Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
W27C512-45Z	Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
W27C512-45Z	Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
W27C512-45Z	Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	NO NAME
W27C512-45Z	Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс			141.80
W27C512-45Z	Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	4-7 НЕДЕЛЬ	924