С2-29В-0,125-24,9 ОМ-0,25%

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
КД514А	Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 10В, 0,02А		3 740	3.40
КД514А	Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 10В, 0,02А	БОЛОХОВСКИЙ ЗПП
КД514А	Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 10В, 0,02А	БОЛХОВ
КД514А	Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 10В, 0,02А	RUS
КД514А	Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 10В, 0,02А	БОЛХОВСКИЙ ЗПП	960	16.53
КД 522Б	Импульсный диод Uобр 50В/75В, 1.5А, 4мкс, 3пФ
КП103И1			8	14.52
КП103И1		ВИННИЦА
КП103И1		RUS
КП103И1		ОКТЯБРЬ	416	51.66
КТ3107Г	Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с ...		1 013	5.55
КТ3107Г	Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с ...	КРЕМНИЙ	367	12.78
КТ3107Г	Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с ...	СВЕТЛАНА	21 050	4.20
КТ3107Г	Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с ...	БРЯНСК
КТ3107Г	Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с ...	РИГА	5 292	4.20
КТ3107Г	Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с ...	АЛЕКСАНДРОВ
КТ3107Г	Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с ...	НАЛЬЧИК
КТ3107Г	Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с ...	МИНСК
КТ3107Г	Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с ...	RUS
КТ3107Г	Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с ...	ИНТЕГРАЛ
СП5-24-1-47 ОМ-5%-В			31	777.00