STP11NM60ND

Версия для печати

Технические характеристики STP11NM60ND

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	FDmesh™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	450 mOhm @ 5A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	10A
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	30nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	850pF @ 50V
Power - Max	90W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
AP4511GH		APEC
AP4511GH			1	113.40
AP4511GH			1	113.40
AP4511GH		ADVANCED POWER
AP4511GH		1
AP4511GH		4-7 НЕДЕЛЬ	436
E-L6598		ST MICROELECTRONICS
E-L6598		ST MICROELECTRONICS SEMI
E-L6598D013TR		STMicroelectronics
L6562D	Высоковольтный резонансный контроллер (TRANSITION-MODE PFC CONTROLLER )	ST MICROELECTRONICS
L6562D	Высоковольтный резонансный контроллер (TRANSITION-MODE PFC CONTROLLER )		6	133.56
L6562D	Высоковольтный резонансный контроллер (TRANSITION-MODE PFC CONTROLLER )	ST MICROELECTRONICS SEMI
L6562D	Высоковольтный резонансный контроллер (TRANSITION-MODE PFC CONTROLLER )	STMicroelectronics
L6562D	Высоковольтный резонансный контроллер (TRANSITION-MODE PFC CONTROLLER )	ST MICROELECTRO
L6562D	Высоковольтный резонансный контроллер (TRANSITION-MODE PFC CONTROLLER )	1
L6562D	Высоковольтный резонансный контроллер (TRANSITION-MODE PFC CONTROLLER )	4-7 НЕДЕЛЬ	520
L6562DTR		ST MICROELECTRONICS	14 185	30.10
L6562DTR		ST MICROELECTRONICS SEMI
L6562DTR		STMicroelectronics
L6562DTR			1 320	29.33
L6562DTR		STMICROELECTR
L6562DTR		4-7 НЕДЕЛЬ	496