STB18N55M5


Купить STB18N55M5 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
STB18N55M5
Версия для печати

Технические характеристики STB18N55M5

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
СерияMDmesh™
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs240 mOhm @ 6.5A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)550V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C13A
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs31nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds1352pF @ 100V
Power - Max90W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
КорпусD²PAK
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход