| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
IRF640N |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=13A@t=100C, Rds=150 mOm, ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
119
|
81.20
|
|
|
|
|
IRF640N |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=13A@t=100C, Rds=150 mOm, ...
|
|
1 447
|
88.80
|
|
|
|
|
IRF640N |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=13A@t=100C, Rds=150 mOm, ...
|
МЕКСИКА
|
|
|
|
|
|
|
IRF640N |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=13A@t=100C, Rds=150 mOm, ...
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
IRF640N |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=13A@t=100C, Rds=150 mOm, ...
|
VBSEMI
|
|
|
|
|
|
|
IRF640N |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=13A@t=100C, Rds=150 mOm, ...
|
1
|
|
|
|
|
|
|
IRF640N |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=13A@t=100C, Rds=150 mOm, ...
|
EVVO
|
749
|
41.52
|
|
|
|
|
PIC16F877-20I/P |
|
Микроконтроллер 8Kx14 Flash, 33I/O, 20MHz
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
|
PIC16F877-20I/P |
|
Микроконтроллер 8Kx14 Flash, 33I/O, 20MHz
|
|
|
863.24
|
|
|
|
|
PIC16F877-20I/P |
|
Микроконтроллер 8Kx14 Flash, 33I/O, 20MHz
|
Microchip Technology
|
|
|
|
|
|
|
PIC16F877-20I/P |
|
Микроконтроллер 8Kx14 Flash, 33I/O, 20MHz
|
MICRO CHIP
|
4
|
|
|
|
|
|
PIC16F877-20I/P |
|
Микроконтроллер 8Kx14 Flash, 33I/O, 20MHz
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
PIC16F877-20I/P |
|
Микроконтроллер 8Kx14 Flash, 33I/O, 20MHz
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
PIC16F877-20I/P |
|
Микроконтроллер 8Kx14 Flash, 33I/O, 20MHz
|
MIKROCHIP
|
|
|
|
|
|
|
PIC16F877-20I/P |
|
Микроконтроллер 8Kx14 Flash, 33I/O, 20MHz
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
696
|
|
|
|
|
|
КД521А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ
|
|
1 384
|
11.34
|
|
|
|
|
КД521А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ
|
БРЕСТ
|
|
|
|
|
|
|
КД521А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ
|
П/П 1
|
|
|
|
|
|
|
КД521А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ
|
САРАНСК
|
|
|
|
|
|
|
КД521А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КД521А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ
|
СЗТП
|
8
|
15.62
|
|
|
|
|
КД521А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРОВ
|
|
|
|
|
|
|
КД521А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ
|
ЦВЕТОТРОН, БРЕСТ
|
|
|
|
|
|
|
КД521А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ
|
ЦВЕТОТРОН
|
504
|
67.16
|
|
|
|
|
КД521А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ
|
РОССИЯ
|
|
|
|
|
|
|
КД521А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
|
|
|
|
|
|
|
КД521А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ
|
1
|
|
|
|
|
|
|
КП504А |
|
|
|
2 729
|
21.16
|
|
|
|
|
КП504А |
|
|
МИНСК
|
19 099
|
30.43
|
|
|
|
|
КП504А |
|
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КП504А |
|
|
ИНТЕГРАЛ
|
63
|
86.79
|
|
|
|
|
КП504А |
|
|
ИНТЕГРАЛ-С
|
|
|
|
|
|
|
КП504А |
|
|
РОССИЯ
|
|
|
|
|
|
|
КП504А |
|
|
1900
|
|
|
|
|
|
|
КП504А |
|
|
21984
|
|
|
|
|
|
|
КП508А |
|
Кремниевые полевые P-канальные транзисторы средней мощности с изолированным затвором и ...
|
|
104
|
63.00
|
|
|
|
|
КП508А |
|
Кремниевые полевые P-канальные транзисторы средней мощности с изолированным затвором и ...
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КП508А |
|
Кремниевые полевые P-канальные транзисторы средней мощности с изолированным затвором и ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
КП508А |
|
Кремниевые полевые P-канальные транзисторы средней мощности с изолированным затвором и ...
|
278
|
|
|
|
|
|
|
КП508А |
|
Кремниевые полевые P-канальные транзисторы средней мощности с изолированным затвором и ...
|
619
|
|
|
|
Версия для печати
