|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2SK3567 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 3.5A, 35W)
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
2SK3567 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 3.5A, 35W)
|
TOS
|
44
|
99.10
|
|
|
|
2SK3567 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 3.5A, 35W)
|
|
2
|
147.42
|
|
|
|
2SK3567 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 3.5A, 35W)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
2SK3567 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 3.5A, 35W)
|
TOSHIBA
|
180
|
|
|
|
|
ICE2PCS01GXT |
|
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
ICE2PCS01GXT |
|
|
|
|
|
|
|
|
ICE2PCS01GXT |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
596
|
|
|
|
|
IKW50N60T |
|
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
IKW50N60T |
|
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IKW50N60T |
|
|
|
|
|
|
|
|
NCP1200P60G |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
NCP1200P60G |
|
|
ONS
|
76
|
161.97
|
|
|
|
NCP1200P60G |
|
|
|
|
196.00
|
|
|
|
NCP1200P60G |
|
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
NCP1200P60G |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
NCP1200P60G |
|
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
NCP1200P60G |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
213
|
|
|
|
|
STTH6003CW |
|
Диод быстродействующий 300В, 30А, 55нс
|
ST MICROELECTRONICS
|
850
|
163.35
|
|
|
|
STTH6003CW |
|
Диод быстродействующий 300В, 30А, 55нс
|
|
2 280
|
345.95
|
|
|
|
STTH6003CW |
|
Диод быстродействующий 300В, 30А, 55нс
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
STTH6003CW |
|
Диод быстродействующий 300В, 30А, 55нс
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
STTH6003CW |
|
Диод быстродействующий 300В, 30А, 55нс
|
ST1
|
|
|
|
|
|
STTH6003CW |
|
Диод быстродействующий 300В, 30А, 55нс
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
STTH6003CW |
|
Диод быстродействующий 300В, 30А, 55нс
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
STTH6003CW |
|
Диод быстродействующий 300В, 30А, 55нс
|
1
|
|
|
|