IRF6201PBF

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRF6201PBF		123.12

Версия для печати

Технические характеристики IRF6201PBF

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	HEXFET®
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.45 mOhm @ 27A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	27A
Vgs(th) (Max) @ Id	1.1V @ 100µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	195nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	8555pF @ 16V
Power - Max	2.5W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SO

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.