| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
|
АЛ307АМ |
|
Диоды светоизлучающие, с рассеянным излучением, эпитаксиальные на основе соединений ...
|
|
|
10.00
|
|
|
|
|
АЛ307АМ |
|
Диоды светоизлучающие, с рассеянным излучением, эпитаксиальные на основе соединений ...
|
ПЛАНЕТА
|
|
|
|
|
|
|
АЛ307АМ |
|
Диоды светоизлучающие, с рассеянным излучением, эпитаксиальные на основе соединений ...
|
СТАРТ
|
|
|
|
|
|
|
АЛ307АМ |
|
Диоды светоизлучающие, с рассеянным излучением, эпитаксиальные на основе соединений ...
|
ПРОТОН
|
1
|
10.60
|
|
|
|
|
АЛ307АМ |
|
Диоды светоизлучающие, с рассеянным излучением, эпитаксиальные на основе соединений ...
|
2
|
|
|
|
|
|
 |
АЛ307НМ |
|
Диод светоизлучающий, с рассеянным излучением, эпитаксиальный
|
|
742
|
33.12
|
|
|
|
|
АЛ307НМ |
|
Диод светоизлучающий, с рассеянным излучением, эпитаксиальный
|
ПЛАНЕТА
|
|
|
|
|
|
|
АЛ307НМ |
|
Диод светоизлучающий, с рассеянным излучением, эпитаксиальный
|
ТОМСК
|
|
|
|
|
|
|
АЛ307НМ |
|
Диод светоизлучающий, с рассеянным излучением, эпитаксиальный
|
СТАРТ
|
200
|
42.36
|
|
|
|
|
АЛ307НМ |
|
Диод светоизлучающий, с рассеянным излучением, эпитаксиальный
|
ПРОТОН
|
|
|
|
|
|
|
АЛ307НМ |
|
Диод светоизлучающий, с рассеянным излучением, эпитаксиальный
|
ПЛАНЕТА СИД
|
|
|
|
|
|
|
АЛ307НМ |
|
Диод светоизлучающий, с рассеянным излучением, эпитаксиальный
|
ПЛАНЕТА-СИД
|
|
|
|
|
|
|
АЛ307НМ |
|
Диод светоизлучающий, с рассеянным излучением, эпитаксиальный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
|
|
20.40
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
МИНСК
|
7 367
|
38.16
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ТРАНЗИСТОР МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ИНТЕГРАЛ-С
|
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
1154
|
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
2000
|
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
2276
|
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
2380
|
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
3398
|
|
|
|
|
|
|
МЛТ-0,25-390 КОМ-5% |
|
|
|
2 108
|
5.55
|
|
|
|
|
ОМЛТ-0,5-3 КОМ-5% |
|
|
|
776
|
7.40
|
|
Версия для печати
