| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
DF06M |
|
Диодный мост DIP 1A 420V(RMS)
|
GENERAL INSTRUMENT
|
|
|
|
|
|
DF06M |
|
Диодный мост DIP 1A 420V(RMS)
|
|
847
|
22.20
|
|
|
|
DF06M |
|
Диодный мост DIP 1A 420V(RMS)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
DF06M |
|
Диодный мост DIP 1A 420V(RMS)
|
GENERAL INSTRUMENT
|
|
|
|
|
|
DF06M |
|
Диодный мост DIP 1A 420V(RMS)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
DF06M |
|
Диодный мост DIP 1A 420V(RMS)
|
Diodes Inc
|
|
|
|
|
|
DF06M |
|
Диодный мост DIP 1A 420V(RMS)
|
Vishay/Semiconductors
|
|
|
|
|
|
DF06M |
|
Диодный мост DIP 1A 420V(RMS)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
DF06M |
|
Диодный мост DIP 1A 420V(RMS)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
DF06M |
|
Диодный мост DIP 1A 420V(RMS)
|
LITE ON OPTO
|
|
|
|
|
|
DF06M |
|
Диодный мост DIP 1A 420V(RMS)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
DF06M |
|
Диодный мост DIP 1A 420V(RMS)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
DF06M |
|
Диодный мост DIP 1A 420V(RMS)
|
ONS-FAIR
|
800
|
18.62
|
|
|
|
DF06M |
|
Диодный мост DIP 1A 420V(RMS)
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
КП301Б |
|
|
|
|
172.80
|
|
|
|
КП301Б |
|
|
ВИННИЦА
|
|
|
|
|
|
КП301Б |
|
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КП501А |
|
Кремниевый полевой N-канальный транзистор средней мощности с изолированным затвором и ...
|
|
3 719
|
29.44
|
|
|
|
КП501А |
|
Кремниевый полевой N-канальный транзистор средней мощности с изолированным затвором и ...
|
МИНСК
|
12 506
|
33.92
|
|
|
|
КП501А |
|
Кремниевый полевой N-канальный транзистор средней мощности с изолированным затвором и ...
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
КП501А |
|
Кремниевый полевой N-канальный транзистор средней мощности с изолированным затвором и ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КП501А |
|
Кремниевый полевой N-канальный транзистор средней мощности с изолированным затвором и ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КП501А |
|
Кремниевый полевой N-канальный транзистор средней мощности с изолированным затвором и ...
|
ИНТЕГРАЛ-С
|
|
|
|
|
|
КП501А |
|
Кремниевый полевой N-канальный транзистор средней мощности с изолированным затвором и ...
|
1058
|
|
|
|
|
|
КП501А |
|
Кремниевый полевой N-канальный транзистор средней мощности с изолированным затвором и ...
|
14555
|
|
|
|
|
|
КП501А |
|
Кремниевый полевой N-канальный транзистор средней мощности с изолированным затвором и ...
|
3000
|
|
|
|
|
|
КТ502Е |
|
Транзистор структуры PNP универсальный 0,35Вт, 5МГц, 70В, 0,15А
|
|
145
|
22.68
|
|
|
|
КТ502Е |
|
Транзистор структуры PNP универсальный 0,35Вт, 5МГц, 70В, 0,15А
|
КРЕМНИЙ
|
1 923
|
13.97
|
|
|
|
КТ502Е |
|
Транзистор структуры PNP универсальный 0,35Вт, 5МГц, 70В, 0,15А
|
БРЯНСК
|
|
|
|
|
|
КТ502Е |
|
Транзистор структуры PNP универсальный 0,35Вт, 5МГц, 70В, 0,15А
|
МИНСК
|
5 003
|
18.02
|
|
|
|
КТ502Е |
|
Транзистор структуры PNP универсальный 0,35Вт, 5МГц, 70В, 0,15А
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
КТ502Е |
|
Транзистор структуры PNP универсальный 0,35Вт, 5МГц, 70В, 0,15А
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ502Е |
|
Транзистор структуры PNP универсальный 0,35Вт, 5МГц, 70В, 0,15А
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ502Е |
|
Транзистор структуры PNP универсальный 0,35Вт, 5МГц, 70В, 0,15А
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
КТ502Е |
|
Транзистор структуры PNP универсальный 0,35Вт, 5МГц, 70В, 0,15А
|
ДАЛЕКС
|
880
|
25.83
|
|
|
|
КТ502Е |
|
Транзистор структуры PNP универсальный 0,35Вт, 5МГц, 70В, 0,15А
|
7369
|
|
|
|
|
|
КТ816Г |
|
Транзистор среднечастотный структуры PNP
|
|
69
|
37.00
|
|
|
|
КТ816Г |
|
Транзистор среднечастотный структуры PNP
|
КРЕМНИЙ
|
1 936
|
34.36
|
|
|
|
КТ816Г |
|
Транзистор среднечастотный структуры PNP
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
КТ816Г |
|
Транзистор среднечастотный структуры PNP
|
БРЯНСК
|
9 326
|
38.16
|
|
|
|
КТ816Г |
|
Транзистор среднечастотный структуры PNP
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ816Г |
|
Транзистор среднечастотный структуры PNP
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ816Г |
|
Транзистор среднечастотный структуры PNP
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ816Г |
|
Транзистор среднечастотный структуры PNP
|
РАДИОДЕТ
|
|
|
|
|
|
КТ816Г |
|
Транзистор среднечастотный структуры PNP
|
157
|
|
|
|
|
|
КТ816Г |
|
Транзистор среднечастотный структуры PNP
|
5643
|
|
|
|
|
|
КТ816Г |
|
Транзистор среднечастотный структуры PNP
|
6882
|
|
|
|