W27C512P-45Z

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
W27C512P-45Z (WINBOND)	204	315.00
W27C512P-45Z (4-7 НЕДЕЛЬ)	329	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
IRFP064N	Мощный N-канальный MOSFET транзистор N-MOSFET 55В, 110А, 200Вт	INTERNATIONAL RECTIFIER	415	123.64
IRFP064N	Мощный N-канальный MOSFET транзистор N-MOSFET 55В, 110А, 200Вт		847	107.74
IRFP064N	Мощный N-канальный MOSFET транзистор N-MOSFET 55В, 110А, 200Вт	ФИЛИППИНЫ
IRFP064N	Мощный N-канальный MOSFET транзистор N-MOSFET 55В, 110А, 200Вт	INFINEON
IRFP064N	Мощный N-канальный MOSFET транзистор N-MOSFET 55В, 110А, 200Вт	1
IRFP064N	Мощный N-канальный MOSFET транзистор N-MOSFET 55В, 110А, 200Вт	EVVO	1 200	72.54
IRFP064N	Мощный N-канальный MOSFET транзистор N-MOSFET 55В, 110А, 200Вт	JSMICRO	1 336	112.17
TE-78 220V 80W	Паяльник 220В, 80Вт			394.92
W27C512-45Z	Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	WINBOND	536	278.96
W27C512-45Z	Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	WIN
W27C512-45Z	Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	Winbond Electronics
W27C512-45Z	Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
W27C512-45Z	Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
W27C512-45Z	Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
W27C512-45Z	Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	NO NAME
W27C512-45Z	Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс			141.80
W27C512-45Z	Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	4-7 НЕДЕЛЬ	1 257
ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 2.4 БЕЛ. 0.5М				30.76
ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 2.4 БЕЛ. 0.5М		ПОЛЬША
ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 2.4 БЕЛ. 0.5М		ГЕРМАНИЯ
ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 2.4 ЗЕЛ. 0.5М				30.76
ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 2.4 ЗЕЛ. 0.5М		ПОЛЬША
ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 2.4 ЗЕЛ. 0.5М		ГЕРМАНИЯ