SPP80P06P

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
SPP80P06P		291.12

Версия для печати

Технические характеристики SPP80P06P

Корпус	PG-TO220-3
Корпус (размер)	TO-220-3
Тип монтажа	Выводной
Power - Max	340W
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	5033pF @ 25V
Gate Charge (Qg) @ Vgs	173nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 5.5mA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	80A
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	23 mOhm @ 64A, 10V
FET Feature	Standard
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
Серия	SIPMOS®
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

SPP80P06P (Полевые МОП транзисторы)

Sipmos Power-transistor

Производитель:
Infineon Technologies AG
//www.infineon.com

SPP80P06P datasheet
98.74Kb
9стр.