IRFP22N50APBF
Транзистор N-Канальный 500V 22A 277W 0,23R
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 230 mOhm @ 13A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 22A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 120nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 3450pF @ 25V |
| Power - Max | 277W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-247-3 |
| Корпус | TO-247-3 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRFP22N50APBF (MOSFET) HEXFET® Power MOSFET
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| МЛТ-0,125 470ОМ 5% |
|
|
||||||
| МЛТ-0,125 51К 5% |
|
|
||||||
| МЛТ-0.125- 110К 5% |
|
|
||||||
| МЛТ-0.125-10КJ |
|
|
||||||
| ОМЛТ-0,125-1 КОМ-5% |
|
|
