IRFD9024
МОП-Транзистор, Р-канальный, Vси = -60В, Iс = -1.6A, 1.3Вт, Rоткр = 0.28 Ом, 57Вт
|
|
Версия для печати
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 280 mOhm @ 960mA, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 1.6A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 19nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 570pF @ 25V |
| Power - Max | 1.3W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Корпус | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRFD9024 (P-канальные транзисторные модули) Power Mosfet (vdss=-60v, Rds (on) =0.28ohm, Id=-1.6a)
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
IRLD110 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET, 100В, логический уровень | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IRLD110 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET, 100В, логический уровень | VISHAY |
|
|
|
|
|
|
IRLD110 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET, 100В, логический уровень | 24 | 65.60 | ||
|
|
|
IRLD110 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET, 100В, логический уровень | Vishay/Siliconix |
|
|
|
 |
|
TRR-1A-12-F-00-R |
|
Реле пост. тока 1з контакт, 12В / 1A, 100В (SIP), 1мкс | TTI |
|
|
|
|
|
|
TRR-1A-12-F-00-R |
|
Реле пост. тока 1з контакт, 12В / 1A, 100В (SIP), 1мкс | TAI SHING |
|
|
|
|
|
|
TRR-1A-12-F-00-R |
|
Реле пост. тока 1з контакт, 12В / 1A, 100В (SIP), 1мкс | ТАЙВАНЬ (КИТАЙ) |
|
|
|
|
|
|
TRR-1A-12-F-00-R |
|
Реле пост. тока 1з контакт, 12В / 1A, 100В (SIP), 1мкс | ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) |
|
|
|
|
|
|
TRR-1A-12-F-00-R |
|
Реле пост. тока 1з контакт, 12В / 1A, 100В (SIP), 1мкс |
|
|
