IRFBE30PBF
МОП-Транзистор, N-канальный, Vси = 800В, Rоткр = 3 Ом, Ic = 4.1A, 125Вт
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3 Ohm @ 2.5A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 4.1A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 78nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1300pF @ 25V |
| Power - Max | 125W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 |
| Корпус | TO-220AB |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRFBE30PBF (MOSFET) HEXFET® Power MOSFET
Производитель:
|
