| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
0603 10ПФ NP0 50В |
|
|
|
|
|
|
 |
 |
CR 2032 PCB VARTA (3 ВЫВОДА, ГОРИЗОНТ.) |
|
Батарея литиевая кнопочная, 3 вывода, для горизонтального монтажа 230мА/ч, 3В
|
|
|
140.00
|
|
|
|
|
CR 2032 PCB VARTA (3 ВЫВОДА, ГОРИЗОНТ.) |
|
Батарея литиевая кнопочная, 3 вывода, для горизонтального монтажа 230мА/ч, 3В
|
VARTA
|
|
|
|
|
|
|
CR 2032 PCB VARTA (3 ВЫВОДА, ГОРИЗОНТ.) |
|
Батарея литиевая кнопочная, 3 вывода, для горизонтального монтажа 230мА/ч, 3В
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
VISHAY
|
4
|
22.48
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
|
682
|
55.20
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
IR/VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
MINOS
|
3 227
|
36.13
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
5
|
|
|
|
|
|
|
К176ИД2 |
|
Дешифратор двоичного кода в семисегментный. Время задержки 50 нс, потреблениe 0,4 ...
|
|
25
|
136.08
|
|
|
|
|
К176ИД2 |
|
Дешифратор двоичного кода в семисегментный. Время задержки 50 нс, потреблениe 0,4 ...
|
НЗПП
|
|
|
|
|
|
|
К176ИД2 |
|
Дешифратор двоичного кода в семисегментный. Время задержки 50 нс, потреблениe 0,4 ...
|
ХАБАРОВСК
|
|
|
|
|
|
|
К176ИД2 |
|
Дешифратор двоичного кода в семисегментный. Время задержки 50 нс, потреблениe 0,4 ...
|
НОВОСИБИРСК
|
|
|
|
|
|
|
К176ИД2 |
|
Дешифратор двоичного кода в семисегментный. Время задержки 50 нс, потреблениe 0,4 ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
К176ИД2 |
|
Дешифратор двоичного кода в семисегментный. Время задержки 50 нс, потреблениe 0,4 ...
|
СПЛАВ
|
59
|
123.98
|
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
|
6 788
|
55.16
|
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
МИНСК
|
18 176
|
44.64
|
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
ТРАНЗИСТОР МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
ИНТЕГРАЛ
|
1 360
|
123.98
|
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
ИНТЕГРАЛ-С
|
|
|
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
РОССИЯ
|
|
|
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
12231
|
|
|
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
13221
|
|
|
|
Версия для печати
