IRF7416TR
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | HEXFET® |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20 mOhm @ 5.6A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 10A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 92nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1700pF @ 25V |
| Power - Max | 2.5W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SO |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
BFG541,115 |
|
NXP Semiconductors |
|
|
||
|
|
|
BFG541,115 |
|
NXP |
|
|
||
| BFG591.115 |
|
112.80 | ||||||
| BFG591.115 | NXP |
|
|
|||||
| EC24-5R6K-5,6 МКГН-10% | 5 | 9.25 | ||||||
| MCDR1419NP-181K | SUMIDA |
|
|
|||||
| MCDR1419NP-181K |
|
|
||||||
| ЧИП 1206-10 КОМ-5% | 2 750 | 2.52 |
