|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BU4507DX |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN+D hi-res, 1500V, 8A, 45W, Tf<350nS
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BU4507DX |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN+D hi-res, 1500V, 8A, 45W, Tf<350nS
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BU4507DX |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN+D hi-res, 1500V, 8A, 45W, Tf<350nS
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BU4507DX |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN+D hi-res, 1500V, 8A, 45W, Tf<350nS
|
|
9
|
295.20
|
|
|
|
BU4507DX |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN+D hi-res, 1500V, 8A, 45W, Tf<350nS
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BU4507DX |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN+D hi-res, 1500V, 8A, 45W, Tf<350nS
|
1
|
|
|
|
|
|
CNY17-2 |
|
Оптрон 1-канальный, Uiso=5kV, Uceo=55V, CurTr(min)=125%, 5mA
|
VISHAY
|
8
|
24.00
|
|
|
|
CNY17-2 |
|
Оптрон 1-канальный, Uiso=5kV, Uceo=55V, CurTr(min)=125%, 5mA
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
CNY17-2 |
|
Оптрон 1-канальный, Uiso=5kV, Uceo=55V, CurTr(min)=125%, 5mA
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
CNY17-2 |
|
Оптрон 1-канальный, Uiso=5kV, Uceo=55V, CurTr(min)=125%, 5mA
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
CNY17-2 |
|
Оптрон 1-канальный, Uiso=5kV, Uceo=55V, CurTr(min)=125%, 5mA
|
VISHAY
|
1 920
|
|
|
|
|
CNY17-2 |
|
Оптрон 1-канальный, Uiso=5kV, Uceo=55V, CurTr(min)=125%, 5mA
|
LIT
|
6 416
|
18.30
|
|
|
|
CNY17-2 |
|
Оптрон 1-канальный, Uiso=5kV, Uceo=55V, CurTr(min)=125%, 5mA
|
|
46
|
29.87
|
|
|
|
CNY17-2 |
|
Оптрон 1-канальный, Uiso=5kV, Uceo=55V, CurTr(min)=125%, 5mA
|
LITE-ON
|
|
|
|
|
|
CNY17-2 |
|
Оптрон 1-канальный, Uiso=5kV, Uceo=55V, CurTr(min)=125%, 5mA
|
LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP
|
9
|
|
|
|
|
CNY17-2 |
|
Оптрон 1-канальный, Uiso=5kV, Uceo=55V, CurTr(min)=125%, 5mA
|
MOTOROLA
|
180
|
24.00
|
|
|
|
CNY17-2 |
|
Оптрон 1-канальный, Uiso=5kV, Uceo=55V, CurTr(min)=125%, 5mA
|
EVERLIGHT
|
40
|
24.00
|
|
|
|
CNY17-2 |
|
Оптрон 1-канальный, Uiso=5kV, Uceo=55V, CurTr(min)=125%, 5mA
|
FAIRCHILD
|
35
|
24.00
|
|
|
|
CNY17-2 |
|
Оптрон 1-канальный, Uiso=5kV, Uceo=55V, CurTr(min)=125%, 5mA
|
1
|
|
|
|
|
|
L6386ED |
|
Микросхема высоковольтный драйвер 580V, SO1, FET-IGBT - [SOIC-14-3.9]: Nнижн: 1: ...
|
ST MICROELECTRONICS
|
159
|
192.02
|
|
|
|
L6386ED |
|
Микросхема высоковольтный драйвер 580V, SO1, FET-IGBT - [SOIC-14-3.9]: Nнижн: 1: ...
|
|
|
|
|
|
|
L6386ED |
|
Микросхема высоковольтный драйвер 580V, SO1, FET-IGBT - [SOIC-14-3.9]: Nнижн: 1: ...
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
L6386ED |
|
Микросхема высоковольтный драйвер 580V, SO1, FET-IGBT - [SOIC-14-3.9]: Nнижн: 1: ...
|
ST1
|
|
|
|
|
|
L6386ED |
|
Микросхема высоковольтный драйвер 580V, SO1, FET-IGBT - [SOIC-14-3.9]: Nнижн: 1: ...
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
TT2140LS |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN+D hi-res, 1500V, 6A, 30W, Tf<300nS
|
SANYO
|
52
|
127.50
|
|
|
|
TT2140LS |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN+D hi-res, 1500V, 6A, 30W, Tf<300nS
|
|
|
159.72
|
|
|
|
С2-33М-2-2 10% |
|
|
|
128
|
2.64
|
|