| Ток питания обмотки | постоянный |
| Количество обмоток | 1 |
| Напряжение срабатывания, не более,В | 9 |
| Напряжение отпускания,не менее,В | 1 |
| Сопротивление обмотки, Ом | 500 |
| Минимальное рабочее напряжение,В | 20 |
| Номинальное рабочее напряжение,В | 12 |
| Максимальное коммутируемое постоянное напряжение,В | 100 |
| Максимальный коммутируемый постоянный ток, А | 1 |
| Время срабатывания,мс | 1 |
| Время отпускания,мс | 1 |
| Сопротивление изоляции,МОм | 100000 |
| Максимальное сопротивление электрических контактов,Ом | 0.15 |
| Наработка на отказ не менее,циклов х106 | 100 |
| Рабочая температура,С | -40...85 |
| Корпус | DIP |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
|
559
|
5.55
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
MIC
|
3 135
|
1.60
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
FAIRCHILD
|
56
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
GALAXY SEMI HOLDINGS CO LTD.
|
44
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
MOTOROLA
|
53
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
OTHER
|
114
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
PHILIPS
|
70
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
136
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
YJ ELECTRONIC
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
14
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
YJ
|
33 011
|
1.54
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
ON SEMICONDUCTOR
|
22
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
DC COMPONENTS
|
16 445
|
3.18
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
MCC
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
BL
|
3 780
|
3.18
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
JF
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
ONS
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
MASTER INSTRUMENT
|
52
|
10.93
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
SUNTAN
|
1
|
1.24
>100 шт. 0.62
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
JY
|
278
|
4.04
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
GEMBIRD
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
MD
|
397
|
3.18
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
ASEMI
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
1
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
LGE
|
1 680
|
2.12
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC CO. LTD Г. ЯНЧЖОУ
|
3
|
2.35
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
11475
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
3599
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
4726
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
583
|
|
|
|
|
|
|
MMBTA42 |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
MMBTA42 |
|
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
MMBTA42 |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MMBTA42 |
|
|
UNISONIC TECHNOLOGIES
|
|
|
|
|
|
|
MMBTA42 |
|
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
MMBTA42 |
|
|
UTC
|
|
|
|
|
|
|
MMBTA42 |
|
|
KOREA ELECTRONICS CORPORATION
|
|
|
|
|
|
|
MMBTA42 |
|
|
DIOTEC
|
2 822
|
4.60
|
|
|
|
|
MMBTA42 |
|
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
MMBTA42 |
|
|
FAIRCHILD
|
968
|
|
|
|
|
|
MMBTA42 |
|
|
KOREA ELECTRONICS CORPORATION
|
|
|
|
|
|
|
MMBTA42 |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MMBTA42 |
|
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
MMBTA42 |
|
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
3 209
|
|
|
|
|
|
MMBTA42 |
|
|
UNISONIC TECHNOLOGIES CO, LTD
|
|
|
|
|
|
|
MMBTA42 |
|
|
MCC
|
|
|
|
|
|
|
MMBTA42 |
|
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
MMBTA42 |
|
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
MMBTA42 |
|
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
MMBTA42 |
|
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
|
MMBTA42 |
|
|
KEC AMERICA (USD)
|
15 222
|
|
|
|
|
|
MMBTA42 |
|
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
|
MMBTA42 |
|
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
MMBTA42 |
|
|
|
42 800
|
1.45
|
|
|
|
|
MMBTA42 |
|
|
HOTTECH
|
198 116
|
1.01
|
|
|
|
|
MMBTA42 |
|
|
KLS
|
|
|
|
|
|
|
MMBTA42 |
|
|
LGE
|
|
|
|
|
|
|
MMBTA42 |
|
|
YOUTAI
|
37
|
1.38
|
|
|
|
|
MMBTA42 |
|
|
YJ
|
76 800
|
2.07
|
|
|
|
|
MMBTA42 |
|
|
SUNTAN
|
4 257
|
1.30
|
|
|
|
|
MMBTA42 |
|
|
JSCJ
|
121 118
|
1.62
>100 шт. 0.81
|
|
|
|
|
MMBTA42 |
|
|
KEEN SIDE
|
1 552
|
1.59
|
|
|
|
|
MMBTA42 |
|
|
MERRYELC
|
10 526
|
1.55
|
|
|
|
|
MMBTA42 |
|
|
NEXPERIA
|
12 000
|
4.24
|
|
|
|
|
MMBTA42 |
|
|
15000
|
|
|
|
|
|
SS8550 |
|
Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
SS8550 |
|
Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
SS8550 |
|
Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz
|
|
13 548
|
1.94
>100 шт. 0.97
|
|
|
|
SS8550 |
|
Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz
|
CJ
|
2 444
|
4.13
|
|
|
|
SS8550 |
|
Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz
|
YJ
|
|
|
|
|
|
SS8550 |
|
Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
SS8550 |
|
Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz
|
HOTTECH
|
20 520
|
1.44
>500 шт. 0.48
|
|
|
|
SS8550 |
|
Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz
|
OMRON
|
|
|
|
|
|
SS8550 |
|
Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
SS8550 |
|
Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
SS8550 |
|
Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz
|
LGE
|
|
|
|
|
|
SS8550 |
|
Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
SS8550 |
|
Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz
|
YOUTAI
|
9 693
|
1.16
>100 шт. 0.58
|
|
|
|
SS8550 |
|
Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
SS8550 |
|
Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz
|
HXY
|
3 936
|
1.26
>100 шт. 0.63
|
|
|
|
SS8550 |
|
Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz
|
KEEN SIDE
|
22 222
|
1.38
>100 шт. 0.69
|
|
|
|
КП304А |
|
Транзисторы кремниевые диффузорно-планарные полевые с изолированным затвором и ...
|
СВЕТЛАНА
|
|
|
|
|
|
КП304А |
|
Транзисторы кремниевые диффузорно-планарные полевые с изолированным затвором и ...
|
|
|
272.40
|
|
|
|
КП304А |
|
Транзисторы кремниевые диффузорно-планарные полевые с изолированным затвором и ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КП501А |
|
Кремниевый полевой N-канальный транзистор средней мощности с изолированным затвором и ...
|
|
3 724
|
29.44
|
|
|
|
КП501А |
|
Кремниевый полевой N-канальный транзистор средней мощности с изолированным затвором и ...
|
МИНСК
|
14 882
|
33.92
|
|
|
|
КП501А |
|
Кремниевый полевой N-канальный транзистор средней мощности с изолированным затвором и ...
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
КП501А |
|
Кремниевый полевой N-канальный транзистор средней мощности с изолированным затвором и ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КП501А |
|
Кремниевый полевой N-канальный транзистор средней мощности с изолированным затвором и ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КП501А |
|
Кремниевый полевой N-канальный транзистор средней мощности с изолированным затвором и ...
|
ИНТЕГРАЛ-С
|
|
|
|
|
|
КП501А |
|
Кремниевый полевой N-канальный транзистор средней мощности с изолированным затвором и ...
|
1058
|
|
|
|
|
|
КП501А |
|
Кремниевый полевой N-канальный транзистор средней мощности с изолированным затвором и ...
|
14555
|
|
|
|
|
|
КП501А |
|
Кремниевый полевой N-канальный транзистор средней мощности с изолированным затвором и ...
|
3000
|
|
|
|