Версия для печати
Технические характеристики SH025M0150B3F-0811

Производитель	Yageo Corporation
Допуск емкости	±20%
Номинальное напряжение	25 В
Ток утечки	41 мкА
Тангенс угла диэлектрических потерь	0.16
Максимальный ток пульсаций	0.2 А
Шаг выводов	3.5 мм
Срок службы	2000 Ч
Размер корпуса	ф 8x11
Рабочая температура	-40...105 °C
	For General
Емкость	150 мкФ
Серия	SH
Корпус (размер)	Radial
Тип монтажа	Выводной
Тип	Электролитический алюминиевый

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Конденсаторы

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		AP4511GM			APEC
		AP4511GM				9	83.16
		AP4511GM			КИТАЙ
		AP4511GM			ADVANCED POWER
		AP4511GM			1
		AP4511GM			4-7 НЕДЕЛЬ	306
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)		3 404	12.92
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRONICS	105	16.80
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRONICS SEMI
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	STMICROELECTRONICS
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ИНДИЯ
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	PILIPINES
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST1
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRO
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	STMICROELECTR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	CHANGJIANG
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	KLS
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	HOTTECH	867	10.04
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	CHINA
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	JSCJ	10 532	5.92
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	1
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ИМОРТ
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	NXP	560	3.00
		SH025M0068BZF-0611		Электролитический алюминиевый конденсатор 68 мкФ 25 В	YAGEO	9 908	1.76  >100 шт.   0.88
		SH025M0068BZF-0611		Электролитический алюминиевый конденсатор 68 мкФ 25 В	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		SH025M0068BZF-0611		Электролитический алюминиевый конденсатор 68 мкФ 25 В	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		SK025M0470B3F-0815		Электролитический алюминиевый конденсатор 470 мкФ 25 В	YAGEO
		SK025M0470B3F-0815		Электролитический алюминиевый конденсатор 470 мкФ 25 В	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		SK025M0470B3F-0815		Электролитический алюминиевый конденсатор 470 мкФ 25 В	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		SK025M0470B3F-0815		Электролитический алюминиевый конденсатор 470 мкФ 25 В
		SK450M0033B7F-1632		Электролитический алюминиевый конденсатор 33 мкФ 450 В	YAGEO
		SK450M0033B7F-1632		Электролитический алюминиевый конденсатор 33 мкФ 450 В	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		SK450M0033B7F-1632		Электролитический алюминиевый конденсатор 33 мкФ 450 В	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"