| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
AD797ARZ |
|
Операционный усилитель, Uп=+5..+18В, Uсм<125мкВ, шум <1.7нВ/vГц и 2пА/vГц, -40..+85°C
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
AD797ARZ |
|
Операционный усилитель, Uп=+5..+18В, Uсм<125мкВ, шум <1.7нВ/vГц и 2пА/vГц, -40..+85°C
|
ANALOG
|
|
|
|
|
|
AD797ARZ |
|
Операционный усилитель, Uп=+5..+18В, Uсм<125мкВ, шум <1.7нВ/vГц и 2пА/vГц, -40..+85°C
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
AD797ARZ |
|
Операционный усилитель, Uп=+5..+18В, Uсм<125мкВ, шум <1.7нВ/vГц и 2пА/vГц, -40..+85°C
|
США
|
|
|
|
|
|
AD797ARZ |
|
Операционный усилитель, Uп=+5..+18В, Uсм<125мкВ, шум <1.7нВ/vГц и 2пА/vГц, -40..+85°C
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
AD797ARZ |
|
Операционный усилитель, Uп=+5..+18В, Uсм<125мкВ, шум <1.7нВ/vГц и 2пА/vГц, -40..+85°C
|
|
|
|
|
|
|
AD797ARZ |
|
Операционный усилитель, Uп=+5..+18В, Uсм<125мкВ, шум <1.7нВ/vГц и 2пА/vГц, -40..+85°C
|
AD1
|
|
|
|
|
|
AD797ARZ |
|
Операционный усилитель, Uп=+5..+18В, Uсм<125мкВ, шум <1.7нВ/vГц и 2пА/vГц, -40..+85°C
|
|
|
|
|
|
|
AD797ARZ |
|
Операционный усилитель, Uп=+5..+18В, Uсм<125мкВ, шум <1.7нВ/vГц и 2пА/vГц, -40..+85°C
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
|
|
|
|
|
BH-10 |
|
Вилка на плату 2 ряда по 5 контактов с покрытием золото,
|
|
546
|
27.90
|
|
|
|
BH-10 |
|
Вилка на плату 2 ряда по 5 контактов с покрытием золото,
|
BM
|
1
|
25.81
|
|
|
|
BH-10 |
|
Вилка на плату 2 ряда по 5 контактов с покрытием золото,
|
CONNFLY
|
|
|
|
|
|
BH-10 |
|
Вилка на плату 2 ряда по 5 контактов с покрытием золото,
|
HSM
|
|
|
|
|
|
BH-10 |
|
Вилка на плату 2 ряда по 5 контактов с покрытием золото,
|
NXU
|
|
|
|
|
|
BH-10 |
|
Вилка на плату 2 ряда по 5 контактов с покрытием золото,
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BH-10 |
|
Вилка на плату 2 ряда по 5 контактов с покрытием золото,
|
KEEN SIDE
|
47 182
|
2.46
|
|
|
|
|
DS1070-2 MVV6 |
|
|
CONNFLY
|
|
|
|
|
|
|
MMBTA92LT1G |
|
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
4 581
|
1.86
|
|
|
|
|
MMBTA92LT1G |
|
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)
|
ONS
|
1 709
|
8.27
|
|
|
|
|
MMBTA92LT1G |
|
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)
|
|
3
|
7.20
|
|
|
|
|
MMBTA92LT1G |
|
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
1 003
|
|
|
|
|
|
MMBTA92LT1G |
|
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
|
MMBTA92LT1G |
|
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
|
MMBTA92LT1G |
|
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MMBTA92LT1G |
|
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)
|
0.00
|
|
|
|
|
|
|
SN75176ADR |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
108
|
|
|
|
|
|
SN75176ADR |
|
|
TEXAS
|
|
|
|