LG350M0150BPF-2240


Электролитический алюминиевый конденсатор 150 мкФ 350 В

Купить LG350M0150BPF-2240 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
LG350M0150BPF-2240
Версия для печати

Технические характеристики LG350M0150BPF-2240

ПроизводительYageo Corporation
Допуск емкости±20%
Номинальное напряжение350 В
Ток утечки1050 мкА
Тангенс угла диэлектрических потерь0.15
Максимальный ток пульсаций0.8 А
Шаг выводов10 мм
Срок службы2000 Ч
Размер корпусаф 22x40
Рабочая температура-40...105 °C
For General
Емкость150 мкФ
СерияLG
Корпус (размер)Snap In
Тип монтажаВыводной
ТипЭлектролитический алюминиевый
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

    Наименование   Описание Производитель Количество Цена, руб. Купить
    1N4007S (УКОР.ВЫВОДЫ 20ММ)     КИТАЙ Заказ радиодеталей цена радиодетали
    1N4007S (УКОР.ВЫВОДЫ 20ММ)     GALAXY Заказ радиодеталей цена радиодетали
    1N4007S (УКОР.ВЫВОДЫ 20ММ)     GALAXY ME Заказ радиодеталей цена радиодетали
    BC557BG Транзистор биполярный   ON SEMICONDUCTOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
    BC557BG Транзистор биполярный   ONS Заказ радиодеталей цена радиодетали
BFC237351334 Пленочный конденсатор радиальный 0.33 мкФ, 400 В, 10%, 105С   VISHAY 4 25.42 
BFC237351334 Пленочный конденсатор радиальный 0.33 мкФ, 400 В, 10%, 105С   Vishay/BC Components Заказ радиодеталей цена радиодетали
BFC237351334 Пленочный конденсатор радиальный 0.33 мкФ, 400 В, 10%, 105С     Заказ радиодеталей цена радиодетали
STP6NK60ZFP MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...   ST MICROELECTRONICS 33 45.12 
STP6NK60ZFP MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...     5 048 35.68 
STP6NK60ZFP MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...   STMicroelectronics Заказ радиодеталей цена радиодетали
STP6NK60ZFP MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...   ST MICROELECTR Заказ радиодеталей цена радиодетали
STP6NK60ZFP MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...   КИТАЙ Заказ радиодеталей цена радиодетали
STP6NK60ZFP MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...   ST MICROELECTRONICS SEMI Заказ радиодеталей цена радиодетали
STP6NK60ZFP MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...   ST MICROELECTRO Заказ радиодеталей цена радиодетали
STP6NK60ZFP MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...   4-7 НЕДЕЛЬ 623 цена радиодетали
    МЛТ-0.5-30K       Заказ радиодеталей цена радиодетали
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход