|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
1N4736A |
|
Стабилитрон 6.8В, 1Вт
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
1N4736A |
|
Стабилитрон 6.8В, 1Вт
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4736A |
|
Стабилитрон 6.8В, 1Вт
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
1N4736A |
|
Стабилитрон 6.8В, 1Вт
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4736A |
|
Стабилитрон 6.8В, 1Вт
|
|
18 316
|
1.97
|
|
|
|
1N4736A |
|
Стабилитрон 6.8В, 1Вт
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
1N4736A |
|
Стабилитрон 6.8В, 1Вт
|
NXP
|
|
|
|
|
|
1N4736A |
|
Стабилитрон 6.8В, 1Вт
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N4736A |
|
Стабилитрон 6.8В, 1Вт
|
FAIRCHILD
|
2 272
|
|
|
|
|
1N4736A |
|
Стабилитрон 6.8В, 1Вт
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4736A |
|
Стабилитрон 6.8В, 1Вт
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
1N4736A |
|
Стабилитрон 6.8В, 1Вт
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
1N4736A |
|
Стабилитрон 6.8В, 1Вт
|
ITT
|
|
|
|
|
|
1N4736A |
|
Стабилитрон 6.8В, 1Вт
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
1N4736A |
|
Стабилитрон 6.8В, 1Вт
|
NXP
|
|
|
|
|
|
1N4736A |
|
Стабилитрон 6.8В, 1Вт
|
ТАЙВАНЬ
|
|
|
|
|
|
1N4736A |
|
Стабилитрон 6.8В, 1Вт
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
1N4736A |
|
Стабилитрон 6.8В, 1Вт
|
ITT INTERCONNECT SOLUTIONS
|
|
|
|
|
|
1N4736A |
|
Стабилитрон 6.8В, 1Вт
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
1N4736A |
|
Стабилитрон 6.8В, 1Вт
|
YJ
|
|
|
|
|
|
1N4736A |
|
Стабилитрон 6.8В, 1Вт
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
1N4736A |
|
Стабилитрон 6.8В, 1Вт
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
1N4736A |
|
Стабилитрон 6.8В, 1Вт
|
KLS
|
|
|
|
|
|
1N4736A |
|
Стабилитрон 6.8В, 1Вт
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
1N4736A |
|
Стабилитрон 6.8В, 1Вт
|
ST MICROELECTRONICS
|
776
|
1.48
|
|
|
|
CERCAP 100P/50V 0402 JNPO |
|
Керамический конденсатор 100 пФ 50 В
|
YAGEO
|
|
|
|
|
|
К176ЛА7 |
|
4 двухвходовых базовых элемента И с инверсией выходного сигнала
|
|
4 351
|
7.36
|
|
|
|
К176ЛА7 |
|
4 двухвходовых базовых элемента И с инверсией выходного сигнала
|
ДНЕПР
|
10 893
|
10.50
|
|
|
|
К176ЛА7 |
|
4 двухвходовых базовых элемента И с инверсией выходного сигнала
|
ХАБАРОВСК
|
|
|
|
|
|
К176ЛА7 |
|
4 двухвходовых базовых элемента И с инверсией выходного сигнала
|
НОВОСИБИРСКИЙ ЗПП
|
|
|
|
|
|
К176ЛА7 |
|
4 двухвходовых базовых элемента И с инверсией выходного сигнала
|
НОВОСИБИРСК
|
|
|
|
|
|
К176ЛА7 |
|
4 двухвходовых базовых элемента И с инверсией выходного сигнала
|
НЗПП
|
|
|
|
|
|
К176ЛА7 |
|
4 двухвходовых базовых элемента И с инверсией выходного сигнала
|
ХЕРСОН
|
|
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
|
1 367
|
32.02
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
КРЕМНИЙ
|
800
|
24.57
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
БРЯНСК
|
3 192
|
39.90
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
КРЕМН
|
|
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
ЭЛЬТАВ
|
3 399
|
16.80
|
|
|
|
Р1-3-25-49,9 ОМ-5% |
|
|
|
4 092
|
92.50
|
|