CC0805KRX7R9BB683

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
CC0805KRX7R9BB683 (YAGEO)	92 648	1.35 >500 шт. 0.45

Версия для печати

Технические характеристики CC0805KRX7R9BB683

Производитель	Yageo Corporation
Допуск емкости	±10%
Номинальное постоянное напряжение	50 В
Тип диэлектрика	X7R
Рабочая температура	-55...125 °C
	Multilayer chip capacitance
Размер	2.0x1.2x1.2
Номинальное напряжение	50 В
Температурный коэфициент	X7R
Емкость	0.068 мкФ
Серия	CC_0805
Корпус (размер)	0805
Тип монтажа	Поверхностный
Тип	Керамический

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
BZX55C12VO
CC0805KRX7R9BB333	Керамический ЧИП конденсатор 0.033мкф,X7R, 10%, 0805	YAGEO	122 654	1.02 >500 шт. 0.34
CC0805KRX7R9BB333	Керамический ЧИП конденсатор 0.033мкф,X7R, 10%, 0805	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
CC0805KRX7R9BB333	Керамический ЧИП конденсатор 0.033мкф,X7R, 10%, 0805	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
CC0805KRX7R9BB333	Керамический ЧИП конденсатор 0.033мкф,X7R, 10%, 0805
IRFBC40	Транзистор полевой N-MOS 600V, 6.2A, 125W	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRFBC40	Транзистор полевой N-MOS 600V, 6.2A, 125W	RECTIFIER
IRFBC40	Транзистор полевой N-MOS 600V, 6.2A, 125W	VISHAY
IRFBC40	Транзистор полевой N-MOS 600V, 6.2A, 125W			99.44
IRFBC40	Транзистор полевой N-MOS 600V, 6.2A, 125W	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRFBC40	Транзистор полевой N-MOS 600V, 6.2A, 125W	Vishay/Siliconix
IRFBC40	Транзистор полевой N-MOS 600V, 6.2A, 125W	ИНДОНЕЗИЯ
IRFBC40	Транзистор полевой N-MOS 600V, 6.2A, 125W	VISHAY/IR
IRFBC40	Транзистор полевой N-MOS 600V, 6.2A, 125W	КИТАЙ
MF-25-0.25-20КF-50PPM		HITANO
КР1818ВГ93				126.72
КР1818ВГ93		КВАЗАР
КР1818ВГ93		ЗБАРАЖ
КР1818ВГ93		МИНСК
КР1818ВГ93		КВАНТОР