Версия для печати
Технические характеристики AT89C55WD-24PU

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	89C
Процессор	8051
Размер ядра	8-Bit
Скорость	24MHz
Подключения	UART/USART
Периферия	WDT
Число вводов/выводов	32
Размер программируемой памяти	20KB (20K x 8)
Тип программируемой памяти	FLASH
Размер памяти	256 x 8
Напряжение источника (Vcc/Vdd)	4.5 V ~ 5.5 V
Тип осцилятора	Internal
Рабочая температура	-40°C ~ 85°C
Корпус (размер)	40-DIP (0.600", 15.24mm)

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Микроконтроллеры

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		ADM483EARZ		Дифф. приёмо-передатчик, RS485, 250Kbit/s	ANALOG DEVICES	16 000	52.69
		ADM483EARZ		Дифф. приёмо-передатчик, RS485, 250Kbit/s		106	232.05
		ADM483EARZ		Дифф. приёмо-передатчик, RS485, 250Kbit/s	ANALOG
		ADM483EARZ		Дифф. приёмо-передатчик, RS485, 250Kbit/s	ANALOG DEVICES
		ADM483EARZ		Дифф. приёмо-передатчик, RS485, 250Kbit/s	Analog Devices Inc
		ADM483EARZ		Дифф. приёмо-передатчик, RS485, 250Kbit/s	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		ADM483EARZ		Дифф. приёмо-передатчик, RS485, 250Kbit/s	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		ADM483EARZ		Дифф. приёмо-передатчик, RS485, 250Kbit/s	СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
		ADM483EARZ		Дифф. приёмо-передатчик, RS485, 250Kbit/s	4-7 НЕДЕЛЬ	93
		CD4093BE		Стандартная логика QUAD 2-INPUT NAND SCHMITT TRIGGER -55/+125 C	ST MICROELECTRONICS
		CD4093BE		Стандартная логика QUAD 2-INPUT NAND SCHMITT TRIGGER -55/+125 C	TEXAS INSTRUMENTS	1 264	64.06
		CD4093BE		Стандартная логика QUAD 2-INPUT NAND SCHMITT TRIGGER -55/+125 C		60	37.20
		CD4093BE		Стандартная логика QUAD 2-INPUT NAND SCHMITT TRIGGER -55/+125 C	TEXAS	11 173	41.74
		CD4093BE		Стандартная логика QUAD 2-INPUT NAND SCHMITT TRIGGER -55/+125 C	TEXAS INSTRUMENTS
		CD4093BE		Стандартная логика QUAD 2-INPUT NAND SCHMITT TRIGGER -55/+125 C	TEXAS INSTRUMEN
		CD4093BE		Стандартная логика QUAD 2-INPUT NAND SCHMITT TRIGGER -55/+125 C	TEXASINSTRUMENTS
		CD4093BE		Стандартная логика QUAD 2-INPUT NAND SCHMITT TRIGGER -55/+125 C	HARRIS
		CD4093BE		Стандартная логика QUAD 2-INPUT NAND SCHMITT TRIGGER -55/+125 C	HGSEMI	1 158	17.06
		CD4093BE		Стандартная логика QUAD 2-INPUT NAND SCHMITT TRIGGER -55/+125 C	XINBOLE	5 097	13.39
		CD4093BE		Стандартная логика QUAD 2-INPUT NAND SCHMITT TRIGGER -55/+125 C	4-7 НЕДЕЛЬ	644
		IR2153		Драйвер полумостовой с автогенератором. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.4A	INTERNATIONAL RECTIFIER	8	160.06
		IR2153		Драйвер полумостовой с автогенератором. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.4A		2	267.12
		IR2153		Драйвер полумостовой с автогенератором. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.4A	ТАИЛАНД
		IR2153		Драйвер полумостовой с автогенератором. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.4A	INFINEON
		IR2153		Драйвер полумостовой с автогенератором. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.4A	1
		IR2153		Драйвер полумостовой с автогенератором. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.4A	4-7 НЕДЕЛЬ	735
		L272		ИМС Операционный усилитель 2хкан.	ST MICROELECTRONICS
		L272		ИМС Операционный усилитель 2хкан.	SGS
		L272		ИМС Операционный усилитель 2хкан.			214.56
		L272		ИМС Операционный усилитель 2хкан.	SGS THOMSON
		L272		ИМС Операционный усилитель 2хкан.	STMicroelectronics
		L272		ИМС Операционный усилитель 2хкан.	ST MICROELECTRONICS SEMI
		L272		ИМС Операционный усилитель 2хкан.	4-7 НЕДЕЛЬ	243
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный		267	22.68
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	КРЕМНИЙ	880	17.18
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	БРЯНСК	171	14.32
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	МИНСК	3 112	14.32
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	ВОРОНЕЖ
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	ИНТЕГРАЛ
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	ТРАНЗИСТОР	3	7.85
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	115
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	1872
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	420
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	558
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	6
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	4

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"