|
|
Версия для печати
| Корпус | 8-SOIC |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Рабочая температура | -40°C ~ 85°C |
| Напряжение-выходное, Single/Dual (±) | 2.7 V ~ 8 V, ±1.35 V ~ 4 V |
| Ток выходной / канал | 50mA |
| Ток выходной | 6.8mA |
| Напряжение входного смещения | 1000µV |
| Ток - входного смещения | 3.5µA |
| Полоса пропускания -3Дб | 320MHz |
| Скорость нарастания выходного напряжения | 650 V/µs |
| Тип выхода | Rail-to-Rail |
| Число каналов | 1 |
| Тип усилителя | Voltage Feedback |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Output Type | Rail-to-Rail |
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 0603-LQW18A_004.7NHD | MURATA |
|
|
|||||
| 0603-LQW18A_006.2NHD | MURATA |
|
|
|||||
| 0603-LQW18A_008.7NHD | MURATA |
|
|
|||||
|
|
|
LQH32CN4R7M33L |
|
Индуктивность чип на феррите 4.7мкГн, 20%, 650мА (1210) | MURATA |
|
|
|
|
|
|
LQH32CN4R7M33L |
|
Индуктивность чип на феррите 4.7мкГн, 20%, 650мА (1210) |
|
|
||
|
|
|
LQH32CN4R7M33L |
|
Индуктивность чип на феррите 4.7мкГн, 20%, 650мА (1210) | MURATA |
|
|
|
|
|
|
LQH32CN4R7M33L |
|
Индуктивность чип на феррите 4.7мкГн, 20%, 650мА (1210) | MUR | 7 921 | 5.30 | |
| LQH32CN6R8M53L | MUR | 19 548 | 4.26 | |||||
| LQH32CN6R8M53L |
|
|
||||||
| LQH32CN6R8M53L | MURATA |
|
|