DS1302N

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
DS1302N		193.72
DS1302N (4-7 НЕДЕЛЬ)	624	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики DS1302N

Корпус	8-PDIP
Корпус (размер)	8-DIP (0.300", 7.62mm)
Тип монтажа	Выводной
Рабочая температура	-40°C ~ 85°C
Напряжение питания, батареи	2 V ~ 5.5 V
Напряжение питания	2 V ~ 5.5 V
Интерфейс подключения	3-Wire Serial
Формат даты	YY-MM-DD-dd
Формат времени	HH:MM:SS (12/24 hr)
Объем памяти	31B
Возможности	Leap Year, NVSRAM, Trickle-Charger
Тип	Clock/Calendar
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

DS1302 (Таймеры реального времени)

Trickle Charge Timekeeping Chip

Также в этом файле: DS1302N

Производитель:
Dallas Semiconductor
//www.dalsemi.com

DS1302N datasheet
218.92Kb
14стр.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
3362W-1-203LF		Bourns Inc
3362W-1-203LF		BOURNS	514	29.98
3362W-1-203LF
3362W-1-203LF		OLITECH	349	16.18
BPW85C	Фототранзистор 3мм, 620.980 нм	VISHAY	5 858	38.99
BPW85C	Фототранзистор 3мм, 620.980 нм			120.00
CA6V-5К		ACP
IRF840PBF	N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRF840PBF	N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт		1 580	51.41
IRF840PBF	N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	VISHAY	17 623	68.32
IRF840PBF	N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	Vishay/Siliconix
IRF840PBF	N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRF840PBF	N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	VISHAY
IRF840PBF	N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	VISHAY/IR
IRF840PBF	N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	SILICONIX
IRF840PBF	N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	INFINEON	80	42.69
КЦ422Г ДИОДНЫЙ МОСТ 400В 0.5А		ФОТОН
КЦ422Г ДИОДНЫЙ МОСТ 400В 0.5А