|
Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
FET Feature | Standard |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 500 mOhm @ 1.1A, 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 1.8A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 12nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 270pF @ 25V |
Power - Max | 2W |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | TO-261-4, TO-261AA |
Корпус | SOT-223 |
IRFL9014 (P-канальные транзисторные модули) Power MOSFET
Производитель:
|
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
0805-X7R-0.010UF 10% 50V | Керамический конденсатор 0.010 мкФ 50 В | MURATA | ||||||
0805-X7R-0.010UF 10% 50V | Керамический конденсатор 0.010 мкФ 50 В | 4.80 | ||||||
74HC14PW,112 | NXP Semiconductors | |||||||
74HC14PW,112 | NXP | |||||||
74HC14PW,112 | NEX | |||||||
74HC14PW,112 | ||||||||
HIP9011ABZ | Процессор сигнальный для ДВС | INTERSIL | ||||||
HIP9011ABZ | Процессор сигнальный для ДВС | 3 984 | 281.60 | |||||
IRLL024N SOT223 | INTERNATIONAL RECTIFIER | |||||||
IRLL024N SOT223 | ||||||||
LM35DM | NATIONAL SEMICONDUCTOR | |||||||
LM35DM | NSC | |||||||
LM35DM | 97.32 | |||||||
LM35DM | NATIONAL SEMICONDUCTOR | |||||||
LM35DM | КИТАЙ | |||||||
LM35DM | TEXAS | |||||||
LM35DM | TEXAS INSTRUMENTS | 3 | 182.01 |
|