|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2N7002E |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (Vds=60V, Id=0.38A@T=25C, Id=0.245A@T=100C)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
2N7002E |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (Vds=60V, Id=0.38A@T=25C, Id=0.245A@T=100C)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
2N7002E |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (Vds=60V, Id=0.38A@T=25C, Id=0.245A@T=100C)
|
|
2 173
|
14.80
|
|
|
|
2N7002E |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (Vds=60V, Id=0.38A@T=25C, Id=0.245A@T=100C)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
2N7002E |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (Vds=60V, Id=0.38A@T=25C, Id=0.245A@T=100C)
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
2N7002E |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (Vds=60V, Id=0.38A@T=25C, Id=0.245A@T=100C)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
2N7002E |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (Vds=60V, Id=0.38A@T=25C, Id=0.245A@T=100C)
|
PHILIPS
|
179
|
|
|
|
|
BZV55-C18 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 18В, 21мA
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BZV55-C18 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 18В, 21мA
|
DC COMPONENTS
|
60 356
|
1.46
|
|
|
|
BZV55-C18 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 18В, 21мA
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BZV55-C18 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 18В, 21мA
|
PHILIPS
|
7 248
|
|
|
|
|
BZV55-C18 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 18В, 21мA
|
|
|
|
|
|
|
BZV55-C18 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 18В, 21мA
|
KINGTRONIC
|
|
|
|
|
|
BZV55-C18 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 18В, 21мA
|
KINGTRONICS
|
6 256
|
1.06
|
|
|
|
DEBB33D101KP2A |
|
Керамический конденсатор 100 пФ 2 кВ
|
MUR
|
|
|
|
|
|
DEBB33D101KP2A |
|
Керамический конденсатор 100 пФ 2 кВ
|
Murata Electronics North America
|
|
|
|
|
|
DEBB33D101KP2A |
|
Керамический конденсатор 100 пФ 2 кВ
|
|
|
|
|
|
|
DEBB33D101KP2A |
|
Керамический конденсатор 100 пФ 2 кВ
|
MURATA
|
|
|
|
|
|
IRG4BC40WPBF |
|
|
International Rectifier
|
|
|
|
|
|
IRG4BC40WPBF |
|
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRG4BC40WPBF |
|
|
|
|
|
|
|
|
UC3845BDG |
|
|
ONS
|
|
|
|
|
|
UC3845BDG |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
UC3845BDG |
|
|
|
|
|
|