|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
HGTG30N60A4 |
|
Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4 |
|
Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт
|
FSC
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4 |
|
Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт
|
|
|
1 329.60
|
|
|
|
HGTG30N60A4 |
|
Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4 |
|
Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4 |
|
Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4 |
|
Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт
|
ONS
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4 |
|
Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4 |
|
Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
STRA6159 |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/Idp=1.8A, Pout=12W
|
SANKEN
|
|
|
|
|
|
STRA6159 |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/Idp=1.8A, Pout=12W
|
SK
|
|
|
|
|
|
STRA6159 |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/Idp=1.8A, Pout=12W
|
|
|
297.60
|
|
|
|
STRA6159 |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/Idp=1.8A, Pout=12W
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
40
|
|
|
|
|
TL594IN |
|
ИМС драйвера DIP16
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
TL594IN |
|
ИМС драйвера DIP16
|
|
|
125.92
|
|
|
|
TL594IN |
|
ИМС драйвера DIP16
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
TL594IN |
|
ИМС драйвера DIP16
|
|
|
125.92
|
|
|
|
TL594IN |
|
ИМС драйвера DIP16
|
МЕКСИКА
|
|
|
|
|
|
TL594IN |
|
ИМС драйвера DIP16
|
TEXAS INSTI
|
|
|
|
|
|
TL594IN |
|
ИМС драйвера DIP16
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
757
|
|
|
|
|
VIPER12ADIP-E |
|
ШИМ с токовым режимом управления для ИИП 730V, 0,352A, 30Om
|
ST MICROELECTRONICS
|
927
|
26.57
|
|
|
|
VIPER12ADIP-E |
|
ШИМ с токовым режимом управления для ИИП 730V, 0,352A, 30Om
|
|
17
|
105.84
|
|
|
|
VIPER12ADIP-E |
|
ШИМ с токовым режимом управления для ИИП 730V, 0,352A, 30Om
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
VIPER12ADIP-E |
|
ШИМ с токовым режимом управления для ИИП 730V, 0,352A, 30Om
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
VIPER12ADIP-E |
|
ШИМ с токовым режимом управления для ИИП 730V, 0,352A, 30Om
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
VIPER12ADIP-E |
|
ШИМ с токовым режимом управления для ИИП 730V, 0,352A, 30Om
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
VIPER12ADIP-E |
|
ШИМ с токовым режимом управления для ИИП 730V, 0,352A, 30Om
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
400
|
|
|
|
|
VIPER22ADIP-E |
|
ШИМ с токовым режимом управления для ИИП 730V, 0,352A, 30Om
|
ST MICROELECTRONICS
|
3 412
|
34.12
|
|
|
|
VIPER22ADIP-E |
|
ШИМ с токовым режимом управления для ИИП 730V, 0,352A, 30Om
|
|
2
|
118.44
|
|
|
|
VIPER22ADIP-E |
|
ШИМ с токовым режимом управления для ИИП 730V, 0,352A, 30Om
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
VIPER22ADIP-E |
|
ШИМ с токовым режимом управления для ИИП 730V, 0,352A, 30Om
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
VIPER22ADIP-E |
|
ШИМ с токовым режимом управления для ИИП 730V, 0,352A, 30Om
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
VIPER22ADIP-E |
|
ШИМ с токовым режимом управления для ИИП 730V, 0,352A, 30Om
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
VIPER22ADIP-E |
|
ШИМ с токовым режимом управления для ИИП 730V, 0,352A, 30Om
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
VIPER22ADIP-E |
|
ШИМ с токовым режимом управления для ИИП 730V, 0,352A, 30Om
|
1
|
|
|
|
|
|
VIPER22ADIP-E |
|
ШИМ с токовым режимом управления для ИИП 730V, 0,352A, 30Om
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
112
|
|
|