Версия для печати
Технические характеристики TRR-1A-05-S-00-R

Ток питания обмотки	постоянный
Количество обмоток	1
Напряжение срабатывания, не более,В	3.75
Напряжение отпускания,не менее,В	0.8
Сопротивление обмотки, Ом	500
Минимальное рабочее напряжение,В	16
Номинальное рабочее напряжение,В	5
Максимальное коммутируемое постоянное напряжение,В	100
Максимальный коммутируемый постоянный ток, А	1
Время срабатывания,мс	1
Время отпускания,мс	1
Сопротивление изоляции,МОм	100000
Максимальное сопротивление электрических контактов,Ом	0.15
Наработка на отказ не менее,циклов х106	100
Рабочая температура,С	-40...85
Корпус	SMD

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BAS70-04		2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)	FAIR
		BAS70-04		2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)	NXP
		BAS70-04		2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)	PHILIPS	40	1.12
		BAS70-04		2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)	DC COMPONENTS	8 002	1.34
		BAS70-04		2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)	INFINEON	378	2.25
		BAS70-04		2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)	MCC
		BAS70-04		2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)	DIOTEC	132	1.80
		BAS70-04		2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)	ST MICROELECTRONICS
		BAS70-04		2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)			6.32
		BAS70-04		2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)	PHILIPS	888
		BAS70-04		2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)	STMICROELECTRONICS
		BAS70-04		2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)	PHILIPS SEMIC
		BAS70-04		2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)	NXP	2 191
		BAS70-04		2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)	WUXI XUYANG
		BAS70-04		2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)	HOTTECH	11 516	1.70  >100 шт.   0.85
		BAS70-04		2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)	YJ	262 094	2.07
		BAS70-04		2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)	CJ
		BAS70-04		2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)	JSCJ	43 997	1.13
		BAS70-04		2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)	SLKOR
		BAS70-04		2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)	XSEMI	29 280	1.13
		BAS70-04		2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)	YANGZHOU YANGJIE
		BAS70-04		2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)	KEEN SIDE	10 413	1.10
		BAS70-04		2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)	14895
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450		38 863	1.32  >100 шт.   0.66
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	NXP	18 812	1.86
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	PHILIPS	1 568	7.81
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	FAIR
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	GENERAL SEMICONDUCTOR
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	ITT
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	INFINEON
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	DIOTEC	13 835	4.38
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	FAIRCHILD
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	GALAXY
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	FAIRCHILD
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	GENERAL SEMICONDUCTOR
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	ITT
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	NXP
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	OTHER
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	PHILIPS	656
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	MCC	1	1.86  >100 шт.   0.93
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	КИТАЙ
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	DC COMPONENTS	21 471	3.44
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	KINGTRON
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	SIEMENS
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	GALAXY ME
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	HOTTECH	88 957	1.34  >100 шт.   0.67
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	SEMTECH	916	2.06
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	LRC	2 080	2.07
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	KLS
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	PANJIT	13	1.10
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	YJ	22 561	3.21
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	YANGJIE
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	YANGJIE (YJ)
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	0.00
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	TRR	165 600	1.32  >500 шт.   0.44
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	SUNTAN	116 312	1.14  >100 шт.   0.57
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	1
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	XSEMI	64 079	1.10  >100 шт.   0.55
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	1373
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	23504
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	960
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	KEEN SIDE	13 908	1.08  >100 шт.   0.54
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	14700
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	13700
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	SLKOR	14 400	1.14  >100 шт.   0.57
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	ZH	38 400	1.26  >100 шт.   0.63
		BFR93A		Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт	NXP
		BFR93A		Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт	PHILIPS
		BFR93A		Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт	VISHAY
		BFR93A		Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт			13.60
		BFR93A		Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт	PHILIPS
		BFR93A		Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт	КИТАЙ
		BFR93A		Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт	NXP
		BFR93A		Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт	INFINEON
		BFR93A		Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт	INFINEON	54
		MC12080DG		Стандартная микросхема , предварительный делитель	ON SEMICONDUCTOR
		MC12080DG		Стандартная микросхема , предварительный делитель	ONS
		MC12080DG		Стандартная микросхема , предварительный делитель			560.00
		MC12080DG		Стандартная микросхема , предварительный делитель	ON SEMICONDUCTOR
		MC12080DG		Стандартная микросхема , предварительный делитель	4-7 НЕДЕЛЬ	632
		КС213Б		Двуханодный стабилитрон с номинальным напряжением стабилизации 13В, 3 ... 10мА, 0.125Вт		16	14.88
		КС213Б		Двуханодный стабилитрон с номинальным напряжением стабилизации 13В, 3 ... 10мА, 0.125Вт	П/П 2
		КС213Б		Двуханодный стабилитрон с номинальным напряжением стабилизации 13В, 3 ... 10мА, 0.125Вт	САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРОВ
		КС213Б		Двуханодный стабилитрон с номинальным напряжением стабилизации 13В, 3 ... 10мА, 0.125Вт	САРАНСК
		КС213Б		Двуханодный стабилитрон с номинальным напряжением стабилизации 13В, 3 ... 10мА, 0.125Вт	RUS
		КС213Б		Двуханодный стабилитрон с номинальным напряжением стабилизации 13В, 3 ... 10мА, 0.125Вт	СЗТП	44	49.97
		КС213Б		Двуханодный стабилитрон с номинальным напряжением стабилизации 13В, 3 ... 10мА, 0.125Вт	РОССИЯ
		КС213Б		Двуханодный стабилитрон с номинальным напряжением стабилизации 13В, 3 ... 10мА, 0.125Вт	САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"