|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
NXP
|
2 664
|
2.10
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
DC COMPONENTS
|
21 671
|
2.25
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
DIOTEC
|
18 155
|
4.01
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
ES
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
PHILIPS
|
486
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
PHILIPS SEMIC
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
ON SEMIC
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
HOTTECH
|
372 328
|
1.72
>100 шт. 0.86
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
|
38 125
|
1.52
>100 шт. 0.76
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
KOME
|
1
|
1.69
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
SUNTAN
|
5 472
|
1.72
>100 шт. 0.86
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
NEX-NXP
|
112
|
3.10
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
YJ
|
124 686
|
2.07
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
TRR
|
62 400
|
1.35
>500 шт. 0.45
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
XXW
|
188 971
|
1.42
>100 шт. 0.71
|
|
|
|
BL-BEG271 |
|
3mm. светодиод двухцветный красно-зеленый, двухвыводной (Iv=30mcd @ I=20mA, 45 град., ...
|
BRIGHTLED
|
|
|
|
|
|
BL-BEG271 |
|
3mm. светодиод двухцветный красно-зеленый, двухвыводной (Iv=30mcd @ I=20mA, 45 град., ...
|
|
|
19.24
|
|
|
|
BL-BEG271 |
|
3mm. светодиод двухцветный красно-зеленый, двухвыводной (Iv=30mcd @ I=20mA, 45 град., ...
|
BRI
|
|
|
|
|
|
BL-BEG271 |
|
3mm. светодиод двухцветный красно-зеленый, двухвыводной (Iv=30mcd @ I=20mA, 45 град., ...
|
BRIGHT-ON
|
|
|
|
|
|
CRCW08051K00FKEA |
|
Резистор чип 0805, 1кОм, 100ppm/С
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
CRCW08051K00FKEA |
|
Резистор чип 0805, 1кОм, 100ppm/С
|
VISHAY
|
3 076
|
|
|
|
|
CRCW08051K00FKEA |
|
Резистор чип 0805, 1кОм, 100ppm/С
|
Vishay/Dale
|
|
|
|
|
|
CRCW08051K00FKEA |
|
Резистор чип 0805, 1кОм, 100ppm/С
|
|
|
|
|
|
|
CRCW08051K00FKEA |
|
Резистор чип 0805, 1кОм, 100ppm/С
|
VIS
|
|
|
|
|
|
MAX4194ESA+ |
|
Усилитель, Ind
|
MAXIM
|
|
|
|
|
|
MAX4194ESA+ |
|
Усилитель, Ind
|
MAX
|
|
|
|
|
|
MAX4194ESA+ |
|
Усилитель, Ind
|
Maxim Integrated Products
|
|
|
|
|
|
MAX4194ESA+ |
|
Усилитель, Ind
|
MAXIM
|
|
|
|
|
|
T491C106K016AT |
|
Электролитический танталовый конденсатор 10мкФ, 16В, 125С, 10%
|
KEMET
|
|
|
|
|
|
T491C106K016AT |
|
Электролитический танталовый конденсатор 10мкФ, 16В, 125С, 10%
|
|
|
15.44
|
|
|
|
T491C106K016AT |
|
Электролитический танталовый конденсатор 10мкФ, 16В, 125С, 10%
|
KEMET
|
|
|
|
|
|
T491C106K016AT |
|
Электролитический танталовый конденсатор 10мкФ, 16В, 125С, 10%
|
МЕКСИКА
|
|
|
|
|
|
T491C106K016AT |
|
Электролитический танталовый конденсатор 10мкФ, 16В, 125С, 10%
|
KEM
|
|
|
|