| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
|
ADG609BRZ |
|
2 MUX 4х1, 30 Ом, t<75нс, -40°C- +85°C
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
|
ADG609BRZ |
|
2 MUX 4х1, 30 Ом, t<75нс, -40°C- +85°C
|
|
|
570.00
|
|
|
|
|
ADG609BRZ |
|
2 MUX 4х1, 30 Ом, t<75нс, -40°C- +85°C
|
ANALOG
|
|
|
|
|
|
|
ADG609BRZ |
|
2 MUX 4х1, 30 Ом, t<75нс, -40°C- +85°C
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
|
ADG609BRZ |
|
2 MUX 4х1, 30 Ом, t<75нс, -40°C- +85°C
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
ADG609BRZ |
|
2 MUX 4х1, 30 Ом, t<75нс, -40°C- +85°C
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
|
ADG609BRZ |
|
2 MUX 4х1, 30 Ом, t<75нс, -40°C- +85°C
|
AD1
|
|
|
|
|
|
|
ADG609BRZ |
|
2 MUX 4х1, 30 Ом, t<75нс, -40°C- +85°C
|
NO NAME
|
|
|
|
|
|
|
ADG609BRZ |
|
2 MUX 4х1, 30 Ом, t<75нс, -40°C- +85°C
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
752
|
|
|
|
|
|
SL1016-102K 1000/0.65A |
|
|
YAGEO
|
|
|
|
|
|
|
SL1016-102K 1000/0.65A |
|
|
R6
|
|
|
|
|
|
|
SL1016-102K 1000/0.65A |
|
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
SL1016-102K 1000/0.65A |
|
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
SL1016-102K 1000/0.65A |
|
|
|
|
85.60
|
|
|
|
|
SL1016-102K 1000/0.65A |
|
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
ЗАЖ.2EDGV-5.08-02P-1-4 |
|
|
DEN
|
|
|
|
|
|
|
ЗАЖ.2EDGV-5.08-02P-1-4 |
|
|
DEGSON ELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
ЗАЖ.2EDGV-5.08-02P-1-4 |
|
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
 |
КТ3107А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...
|
|
1
|
7.40
|
|
|
|
|
КТ3107А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...
|
КРЕМНИЙ
|
537
|
10.96
|
|
|
|
|
КТ3107А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...
|
СВЕТЛАНА
|
|
|
|
|
|
|
КТ3107А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ3107А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...
|
РИГА
|
|
|
|
|
|
|
КТ3107А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...
|
БРЯНСК
|
5 515
|
13.02
|
|
|
|
|
КТ3107А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ3107А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
КТ815Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...
|
|
1 024
|
31.28
|
|
|
|
|
КТ815Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...
|
КРЕМНИЙ
|
804
|
28.35
|
|
|
|
|
КТ815Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
|
КТ815Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...
|
БРЯНСК
|
737
|
37.80
|
|
|
|
|
КТ815Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...
|
МИНСК
|
3 284
|
37.80
|
|
|
|
|
КТ815Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ815Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...
|
ГАММА ЗАПОРОЖЬЕ
|
|
|
|
|
|
|
КТ815Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ815Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
Версия для печати
