| Корпус (размер) | 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
| Рабочая температура | -40°C ~ 85°C |
| Тип осцилятора | External |
| Преобразователи данных | A/D 5x10b |
| Напряжение источника (Vcc/Vdd) | 4 V ~ 5.5 V |
| Размер памяти | 128 x 8 |
| EEPROM Size | 64 x 8 |
| Тип программируемой памяти | FLASH |
| Размер программируемой памяти | 3.5KB (2K x 14) |
| Число вводов/выводов | 22 |
| Периферия | Brown-out Detect/Reset, POR, PWM, WDT |
| Подключения | UART/USART |
| Скорость | 20MHz |
| Размер ядра | 8-Bit |
| Процессор | PIC |
| Серия | PIC® 16F |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
NEC
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTRONICS
|
266
|
34.36
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
UTC
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
|
32
|
14.76
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
STMICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
5
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST1
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
HGSEMI
|
2 291
|
14.64
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
552
|
|
|
|
|
NE556N |
|
|
NEC
|
|
|
|
|
|
NE556N |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
266
|
38.26
|
|
|
|
NE556N |
|
|
|
|
33.68
|
|
|
|
NE556N |
|
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
NE556N |
|
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
NE556N |
|
|
Texas Instruments
|
|
|
|
|
|
NE556N |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
16
|
|
|
|
|
NE556N |
|
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
NE556N |
|
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
NE556N |
|
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
NE556N |
|
|
ST1
|
|
|
|
|
|
NE556N |
|
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
NE556N |
|
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|
|
|
NE556N |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
309
|
|
|
|
|
NE556N |
|
|
HGSEMI
|
|
|
|
|
|
RNF18FTD82K5 |
|
|
Stackpole Electronics Inc
|
|
|
|
|
|
|
К10-17А-0.1 Н50 |
|
Керамический конденсатор 0.1 мкФ 50 В
|
|
|
44.84
|
|
|
|
КТ 3107 А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...
|
RUS
|
|
|
|