Функциональное назначение | гнезда на плату |
Серия | PBS |
Количество рядов | 1 |
Количество контактов в ряду | 10 |
Шаг контактов,мм | 2.54 |
Форма контактов | угол 90о |
Материал изолятора | полимер усиленный стекловолокном |
Сопротивление изолятора не менее,МОм | 500 |
Материал контактов | фосфористая бронза |
Покрытие контактов | золото |
Сопротивление контактов не более,Ом | 0.01 |
Рабочий ток,А | 1 |
Рабочее напряжение,В | 500 |
Предельное напряжение не менее,В | 1500 В перем.тока в течение 1 мин. |
Способ монтажа | пайка в отверстия на плате |
Рабочая температура,°С | -55…140 |
|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
|
3 504
|
1.23
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
MIC
|
9 908
|
1.25
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
FAIRCHILD
|
56
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
GALAXY SEMI HOLDINGS CO LTD.
|
44
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
MOTOROLA
|
53
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
OTHER
|
114
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
PHILIPS
|
70
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
136
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
YJ ELECTRONIC
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
14
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
YJ
|
42 179
|
1.88
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
ON SEMICONDUCTOR
|
22
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
DC COMPONENTS
|
18 354
|
3.15
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
MCC
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
28
|
2.26
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
BL
|
3 780
|
3.15
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
JF
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
ONS
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
MASTER INSTRUMENT
|
52
|
9.45
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
SUNTAN
|
1
|
1.32
>100 шт. 0.66
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
JY
|
251
|
4.22
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
GEMBIRD
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
MD
|
397
|
3.15
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
ASEMI
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
1
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
LGE
|
1 910
|
2.22
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC CO. LTD Г. ЯНЧЖОУ
|
3
|
2.40
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
YANGZHOU YANGJIE
|
1 379
|
2.61
|
|
|
|
24LC512-I/SM |
|
EEPROM serial, 2,5V, 64Kx8, 900нс
|
MICRO CHIP
|
8
|
108.90
|
|
|
|
24LC512-I/SM |
|
EEPROM serial, 2,5V, 64Kx8, 900нс
|
|
|
169.84
|
|
|
|
24LC512-I/SM |
|
EEPROM serial, 2,5V, 64Kx8, 900нс
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
24LC512-I/SM |
|
EEPROM serial, 2,5V, 64Kx8, 900нс
|
Microchip Technology
|
|
|
|
|
|
24LC512-I/SM |
|
EEPROM serial, 2,5V, 64Kx8, 900нс
|
ТАИЛАНД
|
|
|
|
|
|
24LC512-I/SM |
|
EEPROM serial, 2,5V, 64Kx8, 900нс
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
26
|
|
|
|
|
4.7МКФ350В(10X13)105°C |
|
|
|
|
|
|
|
|
4.7МКФ350В(10X13)105°C |
|
|
JAMICON
|
|
|
|
|
|
BYV26C |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, If=10A, Vf=1.3V@I=1A, t=30ns, -65 to +175C)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BYV26C |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, If=10A, Vf=1.3V@I=1A, t=30ns, -65 to +175C)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BYV26C |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, If=10A, Vf=1.3V@I=1A, t=30ns, -65 to +175C)
|
|
|
32.56
|
|
|
|
BYV26C |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, If=10A, Vf=1.3V@I=1A, t=30ns, -65 to +175C)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BYV26C |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, If=10A, Vf=1.3V@I=1A, t=30ns, -65 to +175C)
|
EIC
|
|
|
|
|
|
BYV26C |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, If=10A, Vf=1.3V@I=1A, t=30ns, -65 to +175C)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BYV26C |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, If=10A, Vf=1.3V@I=1A, t=30ns, -65 to +175C)
|
PH / NXP
|
|
|
|
|
|
BYV26C |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, If=10A, Vf=1.3V@I=1A, t=30ns, -65 to +175C)
|
LGE
|
14 153
|
2.37
|
|
|
|
BYV26C |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, If=10A, Vf=1.3V@I=1A, t=30ns, -65 to +175C)
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
BYV26C |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, If=10A, Vf=1.3V@I=1A, t=30ns, -65 to +175C)
|
PH/NXP
|
32
|
29.04
|
|
|
|
BYV26C |
|
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, If=10A, Vf=1.3V@I=1A, t=30ns, -65 to +175C)
|
LUGUANG
|
7 199
|
2.40
|
|
|
|
MINIUSB A B-03 НА ПЛАТУ |
|
|
|
|
40.28
|
|
|
|
MINIUSB A B-03 НА ПЛАТУ |
|
|
CZT
|
|
|
|
|
|
MINIUSB A B-03 НА ПЛАТУ |
|
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
MINIUSB A B-03 НА ПЛАТУ |
|
|
WYCC
|
10
|
51.35
|
|