| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
NP0 47PF 5% 500V |
|
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
|
NP0 47PF 5% 500V |
|
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
NP0 68PF 5% 500V |
|
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
|
NP0 68PF 5% 500V |
|
|
КИТАЙ
|
|
|
|
 |
 |
TL072CN |
|
Двухканальный малошумящий операционный усилитель с малым температурным дрейфом, JFET, ...
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
TL072CN |
|
Двухканальный малошумящий операционный усилитель с малым температурным дрейфом, JFET, ...
|
|
|
23.20
|
|
|
|
|
TL072CN |
|
Двухканальный малошумящий операционный усилитель с малым температурным дрейфом, JFET, ...
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
|
TL072CN |
|
Двухканальный малошумящий операционный усилитель с малым температурным дрейфом, JFET, ...
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
TL072CN |
|
Двухканальный малошумящий операционный усилитель с малым температурным дрейфом, JFET, ...
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
TL072CN |
|
Двухканальный малошумящий операционный усилитель с малым температурным дрейфом, JFET, ...
|
США
|
|
|
|
|
|
|
TL072CN |
|
Двухканальный малошумящий операционный усилитель с малым температурным дрейфом, JFET, ...
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
|
TL072CN |
|
Двухканальный малошумящий операционный усилитель с малым температурным дрейфом, JFET, ...
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
|
TL072CN |
|
Двухканальный малошумящий операционный усилитель с малым температурным дрейфом, JFET, ...
|
ST1
|
|
|
|
|
|
|
TL072CN |
|
Двухканальный малошумящий операционный усилитель с малым температурным дрейфом, JFET, ...
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
|
TL072CN |
|
Двухканальный малошумящий операционный усилитель с малым температурным дрейфом, JFET, ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
372
|
|
|
|
|
|
АЛ307НМ |
|
Диод светоизлучающий, с рассеянным излучением, эпитаксиальный
|
|
560
|
41.95
|
|
|
|
|
АЛ307НМ |
|
Диод светоизлучающий, с рассеянным излучением, эпитаксиальный
|
ПЛАНЕТА
|
|
|
|
|
|
|
АЛ307НМ |
|
Диод светоизлучающий, с рассеянным излучением, эпитаксиальный
|
ТОМСК
|
|
|
|
|
|
|
АЛ307НМ |
|
Диод светоизлучающий, с рассеянным излучением, эпитаксиальный
|
СТАРТ
|
216
|
42.36
|
|
|
|
|
АЛ307НМ |
|
Диод светоизлучающий, с рассеянным излучением, эпитаксиальный
|
ПРОТОН
|
|
|
|
|
|
|
АЛ307НМ |
|
Диод светоизлучающий, с рассеянным излучением, эпитаксиальный
|
ПЛАНЕТА СИД
|
|
|
|
|
|
|
АЛ307НМ |
|
Диод светоизлучающий, с рассеянным излучением, эпитаксиальный
|
ПЛАНЕТА-СИД
|
|
|
|
|
|
|
АЛ307НМ |
|
Диод светоизлучающий, с рассеянным излучением, эпитаксиальный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
МЛТ-2-3,6 ОМ-5% |
|
|
|
|
|
|
Версия для печати
