Версия для печати
Технические характеристики NCP1402SN33T1G

Корпус	SOT-23-5
Корпус (размер)	SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Тип монтажа	Поверхностный
Рабочая температура	-40°C ~ 85°C
Напряжение входное	0.8 V ~ 5.5 V
Частота переключения	200kHz
Ток выходной	200mA
Напряжение выходное	3.3V
Число выходов	1
Synchronous Rectifier	Нет
Внутренняя коммутация	Да
Тип	Step-Up (Boost)
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Питание

 » 

Регуляторы напряжения

 » 

DC/DC регуляторы

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2SB817		Транзистор S-P 160В, 12A, ISO21, PNP, 100Вт, 15МГц	SANYO
		2SB817		Транзистор S-P 160В, 12A, ISO21, PNP, 100Вт, 15МГц		592	91.55
		2SB817		Транзистор S-P 160В, 12A, ISO21, PNP, 100Вт, 15МГц	SAN
		2SB817		Транзистор S-P 160В, 12A, ISO21, PNP, 100Вт, 15МГц	ISCSEMI
		BC817		Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц	NXP
		BC817		Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц	PHILIPS
		BC817		Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц			4.20
		BC817		Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц	KEMET
		BC817		Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц	NXP	626
		BC817		Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц	PHILIPS	18 448
		BC817		Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц	HOTTECH
		BC817		Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц	JSCJ	317 894	1.82  >100 шт.   0.91
		BC817		Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц	TOP DIODE	81 600	1.05
		IRLML6401TRPBF		Силовой МОП-Транзистор Р-канальный Vси = -12 В, Rоткр = 0.05 Ом, Id(25°C) = -4,3 A	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRLML6401TRPBF		Силовой МОП-Транзистор Р-канальный Vси = -12 В, Rоткр = 0.05 Ом, Id(25°C) = -4,3 A	INTERNATIONAL RECTIFIER	2 431
		IRLML6401TRPBF		Силовой МОП-Транзистор Р-канальный Vси = -12 В, Rоткр = 0.05 Ом, Id(25°C) = -4,3 A	INFINEON	15 393	25.83
		IRLML6401TRPBF		Силовой МОП-Транзистор Р-канальный Vси = -12 В, Rоткр = 0.05 Ом, Id(25°C) = -4,3 A		7 576	9.07
		IRLML6401TRPBF		Силовой МОП-Транзистор Р-канальный Vси = -12 В, Rоткр = 0.05 Ом, Id(25°C) = -4,3 A	INFINEON
		IRLML6401TRPBF		Силовой МОП-Транзистор Р-канальный Vси = -12 В, Rоткр = 0.05 Ом, Id(25°C) = -4,3 A	HOTTECH
		IRLML6401TRPBF		Силовой МОП-Транзистор Р-канальный Vси = -12 В, Rоткр = 0.05 Ом, Id(25°C) = -4,3 A	TR
		IRLML6401TRPBF		Силовой МОП-Транзистор Р-канальный Vси = -12 В, Rоткр = 0.05 Ом, Id(25°C) = -4,3 A	TRR	5 840	4.13
		NCP1402SN50T1G		Импульсный повыш. стабилизатор (I=0.2A, Vin=0.8 to 5.5 V, Vout=5V).	ON SEMICONDUCTOR
		NCP1402SN50T1G		Импульсный повыш. стабилизатор (I=0.2A, Vin=0.8 to 5.5 V, Vout=5V).	ONS
		NCP1402SN50T1G		Импульсный повыш. стабилизатор (I=0.2A, Vin=0.8 to 5.5 V, Vout=5V).
		NCP1402SN50T1G		Импульсный повыш. стабилизатор (I=0.2A, Vin=0.8 to 5.5 V, Vout=5V).	ONSEMICONDUCTOR
		NCP1402SN50T1G		Импульсный повыш. стабилизатор (I=0.2A, Vin=0.8 to 5.5 V, Vout=5V).	ON SEMICONDUCTO
		NCP1402SN50T1G		Импульсный повыш. стабилизатор (I=0.2A, Vin=0.8 to 5.5 V, Vout=5V).	4-7 НЕДЕЛЬ	325
		PIC12F509-I/P		1Kx12 Flash 6I/O 4MHz	MICRO CHIP	512	161.88
		PIC12F509-I/P		1Kx12 Flash 6I/O 4MHz		288	102.56
		PIC12F509-I/P		1Kx12 Flash 6I/O 4MHz	Microchip Technology
		PIC12F509-I/P		1Kx12 Flash 6I/O 4MHz	MCHIP
		PIC12F509-I/P		1Kx12 Flash 6I/O 4MHz	ТАИЛАНД
		PIC12F509-I/P		1Kx12 Flash 6I/O 4MHz	4-7 НЕДЕЛЬ	205

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"