| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | LPC13xx |
| Процессор | ARM® Cortex-M3™ |
| Размер ядра | 32-Bit |
| Скорость | 72MHz |
| Подключения | I²C, Microwire, SPI, SSI, SSP, UART/USART, USB |
| Периферия | Brown-out Detect/Reset, POR, WDT |
| Число вводов/выводов | 40 |
| Размер программируемой памяти | 32KB (32K x 8) |
| Тип программируемой памяти | FLASH |
| Размер памяти | 8K x 8 |
| Напряжение источника (Vcc/Vdd) | 2 V ~ 3.6 V |
| Преобразователи данных | A/D 8x10b |
| Тип осцилятора | Internal |
| Рабочая температура | -40°C ~ 85°C |
| Корпус (размер) | 48-LQFP |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
 |
ATSAM3U4C |
|
|
ATMEL
|
|
|
|
 |
|
BC847BW |
|
SOT323
|
NXP
|
44 785
|
1.68
|
|
|
|
|
BC847BW |
|
SOT323
|
PHILIPS
|
1 076
|
1.84
>100 шт. 0.92
|
|
|
|
|
BC847BW |
|
SOT323
|
|
47 600
|
1.05
|
|
|
|
|
BC847BW |
|
SOT323
|
MCC
|
|
|
|
|
|
|
BC847BW |
|
SOT323
|
PHILIPS
|
5 248
|
|
|
|
|
|
BC847BW |
|
SOT323
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
|
BC847BW |
|
SOT323
|
NXP
|
1 797
|
|
|
|
|
|
BC847BW |
|
SOT323
|
PHI
|
|
|
|
|
|
|
BC847BW |
|
SOT323
|
DIOTEC
|
4 066
|
1.54
|
|
|
|
|
BC847BW |
|
SOT323
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
|
BC847BW |
|
SOT323
|
YJ
|
155 057
|
1.46
|
|
|
|
|
BC847BW |
|
SOT323
|
FULIHAO TECH
|
1 440
|
2.07
|
|
|
|
|
IRF7313PBF |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=30V, Id=6.5A@T=25C, Id=5,2A@T=70C, Rds=0.029 Ohm, ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRF7313PBF |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=30V, Id=6.5A@T=25C, Id=5,2A@T=70C, Rds=0.029 Ohm, ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRF7313PBF |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=30V, Id=6.5A@T=25C, Id=5,2A@T=70C, Rds=0.029 Ohm, ...
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
IRF7313PBF |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=30V, Id=6.5A@T=25C, Id=5,2A@T=70C, Rds=0.029 Ohm, ...
|
|
|
|
|
|
|
|
MJE13009 |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 400V, 12A, 100W, 4MHz
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MJE13009 |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 400V, 12A, 100W, 4MHz
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
MJE13009 |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 400V, 12A, 100W, 4MHz
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
MJE13009 |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 400V, 12A, 100W, 4MHz
|
|
8
|
138.75
|
|
|
|
|
MJE13009 |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 400V, 12A, 100W, 4MHz
|
ФИЛИППИНЫ
|
|
|
|
|
|
|
MJE13009 |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 400V, 12A, 100W, 4MHz
|
ISC
|
1 860
|
69.66
|
|
|
|
|
MJE13009 |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 400V, 12A, 100W, 4MHz
|
VARIOUS
|
|
|
|
|
|
|
ULN2003ADR |
|
7 нижних ключей на составных транзисторах (вход - 5В TTL, CMOS: выход - 50В, 0.5A, ...
|
|
4 918
|
27.75
|
|
|
|
|
ULN2003ADR |
|
7 нижних ключей на составных транзисторах (вход - 5В TTL, CMOS: выход - 50В, 0.5A, ...
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
17 224
|
13.43
|
|
|
|
|
ULN2003ADR |
|
7 нижних ключей на составных транзисторах (вход - 5В TTL, CMOS: выход - 50В, 0.5A, ...
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
ULN2003ADR |
|
7 нижних ключей на составных транзисторах (вход - 5В TTL, CMOS: выход - 50В, 0.5A, ...
|
TEXAS INSTR
|
|
|
|
|
|
|
ULN2003ADR |
|
7 нижних ключей на составных транзисторах (вход - 5В TTL, CMOS: выход - 50В, 0.5A, ...
|
TEXAS
|
6 690
|
16.63
|
|
|
|
|
ULN2003ADR |
|
7 нижних ключей на составных транзисторах (вход - 5В TTL, CMOS: выход - 50В, 0.5A, ...
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|
|
|
|
ULN2003ADR |
|
7 нижних ключей на составных транзисторах (вход - 5В TTL, CMOS: выход - 50В, 0.5A, ...
|
TEXASINSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
ULN2003ADR |
|
7 нижних ключей на составных транзисторах (вход - 5В TTL, CMOS: выход - 50В, 0.5A, ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
128
|
|
|
Версия для печати
