L7824ABD2T-TR


Купить L7824ABD2T-TR по цене 40.70 руб.  (без НДС 20%)
L7824ABD2T-TR
Название (производитель) Доступно для заказа Цена, руб.,без НДС Купить
L7824ABD2T-TR 852 40.70 

Версия для печати

Технические характеристики L7824ABD2T-TR

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Топология регулятораPositive Fixed
Напряжение выходное24V
Напряжение входноеUp to 40V
Напряжение - падение (Typ.)2V @ 1A
Число регуляторов1
Ток выходной1.5A
Рабочая температура-40°C ~ 125°C
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
КорпусD2PAK
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

    Наименование   Описание Производитель Количество Цена, руб. Купить
BL01RN1A2A2B Индуктивность для подавления ВЧ-помех.   MURATA Заказ радиодеталей цена радиодетали
BL01RN1A2A2B Индуктивность для подавления ВЧ-помех.     Заказ радиодеталей 16.60 
BL01RN1A2A2B Индуктивность для подавления ВЧ-помех.   MURATA Заказ радиодеталей цена радиодетали
BL01RN1A2A2B Индуктивность для подавления ВЧ-помех.   MUR Заказ радиодеталей цена радиодетали
BL01RN1A2A2B Индуктивность для подавления ВЧ-помех.   Murata Electronics North America Заказ радиодеталей цена радиодетали
DIP8-S Панель DIP-8S с плоскими контактами, шаг 2.54 мм   NELTON Заказ радиодеталей цена радиодетали
DIP8-S Панель DIP-8S с плоскими контактами, шаг 2.54 мм     Заказ радиодеталей 6.00 
DIP8-S Панель DIP-8S с плоскими контактами, шаг 2.54 мм   NELTRON Заказ радиодеталей цена радиодетали
DIP8-S Панель DIP-8S с плоскими контактами, шаг 2.54 мм   HSUAN MAO Заказ радиодеталей цена радиодетали
IR2153PBF Драйвер полумостовой с автогенератором. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.4A   INTERNATIONAL RECTIFIER Заказ радиодеталей цена радиодетали
IR2153PBF Драйвер полумостовой с автогенератором. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.4A   INFINEON 6 415 89.59 
IR2153PBF Драйвер полумостовой с автогенератором. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.4A     380 69.64 
КТ814Б Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный     253 29.44 
КТ814Б Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный   КРЕМНИЙ 1 875 34.12 
КТ814Б Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный   БРЯНСК 3 892 37.80 
КТ814Б Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный   МИНСК Заказ радиодеталей цена радиодетали
КТ814Б Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный   ИНТЕГРАЛ Заказ радиодеталей цена радиодетали
КТ814Б Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный   RUS Заказ радиодеталей цена радиодетали
КТ814Б Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный   ТРАНЗИСТОР Заказ радиодеталей цена радиодетали
    КЭВ-10-1 ГОМ-5%       Заказ радиодеталей цена радиодетали
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход