Версия для печати
Технические характеристики L6561

Корпус	8-DIP
Корпус (размер)	8-DIP
Тип монтажа	Выводной
Рабочая температура	-25°C ~ 125°C
Напряжение питания	11 V ~ 18 V
Current - Startup	50µA
Mode	Discontinuous (Transition)
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

L6561 (Источники питания с широтно-импульсной модуляцией) Power Factor Corrector Также в этом файле: L6561D Производитель: STMicroelectronics //www.st.com L6561 datasheet 117.79Kb 11стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Питание

 » 

Контроллеры фактора мощности (PFC)

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	DC COMPONENTS	3 625	8.52
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S		965	2.73
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	YJ	30 659	4.91
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	MIC
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	KINGTRON
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	КИТАЙ	52	24.20
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	KINGTRONICS
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	KLS	3 176	9.30
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	KOME	336	5.05
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	LGE
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	HOTTECH	57 462	4.29
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	YANGJIE	8 280	5.15
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	YANGJIE (YJ)
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	SEP
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	ASEMI	3	3.44
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	JSCJ	77	10.98
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	KUU	14 800	1.99
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	RUME	2 400	2.15
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	TRR	37 200	2.33
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	JSMICRO	19 728	2.67
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC TECHNOLOGY CO	8	7.90
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	KEEN SIDE	80	3.22
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	8560
		EL817			EVERLIGHT	108	9.30
		EL817			EVE
		EL817				7	22.32
		EL817			EVL	3 424	3.17
		EL817			4-7 НЕДЕЛЬ
		FNR-14K431		430В 75.0 Дж, варистор	FNR	13 812	10.01
		FNR-14K431		430В 75.0 Дж, варистор	FENGHUA ADVANCED TECHNOLOGY
		FNR-14K431		430В 75.0 Дж, варистор			14.40
		FNR-14K431		430В 75.0 Дж, варистор	FENGHUA	287 359	6.27
		FNR-14K431		430В 75.0 Дж, варистор	430V 14MM
		FNR-14K431		430В 75.0 Дж, варистор	ALCO
		FNR-14K431		430В 75.0 Дж, варистор	BRIGHT RING	2 148	9.30
		MKP1V240G			ON SEMICONDUCTOR
		MKP1V240G			ONS
		MKP1V240G
		STP11NK50ZFP		N-channel 500 v, 0.48 ? , 10 a to-220fp zener-protected supermeshtm power mosfet	ST MICROELECTRONICS	5	69.74
		STP11NK50ZFP		N-channel 500 v, 0.48 ? , 10 a to-220fp zener-protected supermeshtm power mosfet	ST MICROELECTRONICS SEMI
		STP11NK50ZFP		N-channel 500 v, 0.48 ? , 10 a to-220fp zener-protected supermeshtm power mosfet	STMicroelectronics
		STP11NK50ZFP		N-channel 500 v, 0.48 ? , 10 a to-220fp zener-protected supermeshtm power mosfet
		STP11NK50ZFP		N-channel 500 v, 0.48 ? , 10 a to-220fp zener-protected supermeshtm power mosfet	ST MICROELECTRO
		STP11NK50ZFP		N-channel 500 v, 0.48 ? , 10 a to-220fp zener-protected supermeshtm power mosfet	STMICROELECTRO

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"