IRFZ48NS
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
|
Версия для печати
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14 mOhm @ 32A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 64A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 81nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1970pF @ 25V |
| Power - Max | 3.8W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB |
| Корпус | D2PAK |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRFZ48NL (N-канальные транзисторные модули) HEXFETand#174; Power MOSFET Также в этом файле: IRFZ48NS
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ОПЛЕТКА ДЛЯ УДАЛЕНИЯ ПРИПОЯ 8PK-031B (З) | PROSKIT |
|
|
|||||
| ОПЛЕТКА ДЛЯ УДАЛЕНИЯ ПРИПОЯ 8PK-031B (З) |
|
180.00 | ||||||
| ОПЛЕТКА ДЛЯ УДАЛЕНИЯ ПРИПОЯ 8PK-031B (З) | ТАЙВАНЬ (КИТАЙ) |
|
|
|||||
| ОПЛЕТКА ДЛЯ УДАЛЕНИЯ ПРИПОЯ 8PK-031B (З) | ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) |
|
|
|||||
| ОПЛЕТКА ДЛЯ УДАЛЕНИЯ ПРИПОЯ 8PK-031B (З) | PRO'SKIT |
|
|
|||||
 |
ПОДСТАВКА ДЛЯ ПАЯЛЬНИКА ТИП15 |
|
Подставка для паяльника тип 15 | 1 867 | 163.28 | |||
| ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 3.2 ПРОЗР. 0.5М |
|
|
||||||
| ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 3.2 ПРОЗР. 0.5М | ПОЛЬША |
|
|
|||||
| ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 3.2 ПРОЗР. 0.5М | ГЕРМАНИЯ |
|
|
|||||
| ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 4.8 ПРОЗР. 0.5М |
|
|
||||||
| ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 4.8 ПРОЗР. 0.5М | ПОЛЬША |
|
|
|||||
| ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 4.8 ПРОЗР. 0.5М | ГЕРМАНИЯ |
|
|
|||||
| ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 6.4 ПРОЗР. 0.5М |
|
|
||||||
| ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 6.4 ПРОЗР. 0.5М | ПОЛЬША |
|
|
|||||
| ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 6.4 ПРОЗР. 0.5М | ГЕРМАНИЯ |
|
|
