Версия для печати
Технические характеристики IRFR2407

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	26 mOhm @ 25A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	75V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	42A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	110nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	2400pF @ 25V
Power - Max	110W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус	D-Pak

IRFR2407 (MOSFET) HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel Производитель: International Rectifier (IRF) IRFR2407 datasheet 134.6 Кб

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		ECA25В-2200МКФ16X28			HITANO
		ECR25В-2200МКФ13X26			HITANO
		TDA7265		УHЧ 2x25W (2x20V/8 Ом), Gv=30dB, max 2x32W	ST MICROELECTRONICS
		TDA7265		УHЧ 2x25W (2x20V/8 Ом), Gv=30dB, max 2x32W		4	423.36
		TDA7265		УHЧ 2x25W (2x20V/8 Ом), Gv=30dB, max 2x32W	ST MICROELECTRONICS SEMI
		TDA7265		УHЧ 2x25W (2x20V/8 Ом), Gv=30dB, max 2x32W	STMicroelectronics
		TDA7265		УHЧ 2x25W (2x20V/8 Ом), Gv=30dB, max 2x32W	КИТАЙ
		TDA7265		УHЧ 2x25W (2x20V/8 Ом), Gv=30dB, max 2x32W	ST1
		TDA7265		УHЧ 2x25W (2x20V/8 Ом), Gv=30dB, max 2x32W	ST MICROELECTRO
		TDA7265		УHЧ 2x25W (2x20V/8 Ом), Gv=30dB, max 2x32W	1
		TDA7265		УHЧ 2x25W (2x20V/8 Ом), Gv=30dB, max 2x32W	4-7 НЕДЕЛЬ	512
		TDA7294		УHЧ DMOS, 2x70W (2x35V/8 Ом), THD<0.5%, max 2x100W	ST MICROELECTRONICS
		TDA7294		УHЧ DMOS, 2x70W (2x35V/8 Ом), THD<0.5%, max 2x100W			229.48
		TDA7294		УHЧ DMOS, 2x70W (2x35V/8 Ом), THD<0.5%, max 2x100W	4-7 НЕДЕЛЬ	620

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"