IRFR014

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRFR014		44.48

Версия для печати

Технические характеристики IRFR014

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	200 mOhm @ 4.6A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	7.7A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	11nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	300pF @ 25V
Power - Max	2.5W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус	D-Pak

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRFx01x

N-CHANNEL POWER MOSFET

Также в этом файле: IRFR014

Производитель:
Samsung semiconductor
//www.samsung.com

IRFR014 datasheet
291.35Kb
5стр.