|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | HEXFET® |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 32 mOhm @ 36A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 51A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 89nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 2770pF @ 25V |
| Power - Max | 3.8W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 |
| Корпус | TO-220AB |
|
IRFB52N15D (MOSFET) HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
Производитель:
|
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRS2092S | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|||||
| IRS2092S |
|
988.00 | ||||||
| IRS2092S | INFINEON |
|
|
|||||
| IRS2092S | 4-7 НЕДЕЛЬ | 113 |
|
|||||
| LM2596S-5.0/NOPB |
|
|
||||||
|
|
SF16 |
|
Ультрабыстрый диод 400V 1A | SEMTECH |
|
|
||
|
|
SF16 |
|
Ультрабыстрый диод 400V 1A | 11 200 | 1.86 | |||
|
|
SF16 |
|
Ультрабыстрый диод 400V 1A | GALAXY |
|
|
||
|
|
SF16 |
|
Ультрабыстрый диод 400V 1A | ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) |
|
|
||
|
|
SF16 |
|
Ультрабыстрый диод 400V 1A | КИТАЙ | 800 | 9.07 | ||
|
|
SF16 |
|
Ультрабыстрый диод 400V 1A | MIC |
|
|
||
|
|
SF16 |
|
Ультрабыстрый диод 400V 1A | DC COMPONENTS | 4 792 | 1.39 | ||
|
|
SF16 |
|
Ультрабыстрый диод 400V 1A | KINGTRONICS |
|
|
||
|
|
SF16 |
|
Ультрабыстрый диод 400V 1A | GALAXY ME |
|
|
||
|
|
SF16 |
|
Ультрабыстрый диод 400V 1A | KLS | 58 | 3.29 | ||
|
|
SF16 |
|
Ультрабыстрый диод 400V 1A | SUNTAN |
|
|
||
|
|
SF16 |
|
Ультрабыстрый диод 400V 1A | ASEMI |
|
|
||
|
|
SF16 |
|
Ультрабыстрый диод 400V 1A | YANGJIE |
|
|
||
|
|
SF16 |
|
Ультрабыстрый диод 400V 1A | KOME |
|
|
||
|
|
SF16 |
|
Ультрабыстрый диод 400V 1A | LGE | 2 304 | 2.22 | ||
| МЛТ-1-1.5 КОМ 5% |
|
|