IRFB11N50A

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRFB11N50A		107.60

Версия для печати

Технические характеристики IRFB11N50A

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	520 mOhm @ 6.6A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	500V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	11A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	52nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1423pF @ 25V
Power - Max	170W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRFB11N50A (P-канальные транзисторные модули)

Power MOSFET (Vdss=500V, Rds (on) max=0.52ohm, Id=11A)

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

IRFB11N50A datasheet
102.41Kb
8стр.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2SD1884	Биполярный транзистор NPN 1500V, 5A, 60W, Tf<300nS		1	151.20
2SD1884	Биполярный транзистор NPN 1500V, 5A, 60W, Tf<300nS	SANYO
2SD1884	Биполярный транзистор NPN 1500V, 5A, 60W, Tf<300nS	SAN
BTB16-600BW	Симистор на 16 ампер 600 вольт, бесснабберный, неизолированный корпус	ST MICROELECTRONICS
BTB16-600BW	Симистор на 16 ампер 600 вольт, бесснабберный, неизолированный корпус		1 065	28.41
BTB16-600BW	Симистор на 16 ампер 600 вольт, бесснабберный, неизолированный корпус		1 065	28.41
LM2917M		NATIONAL SEMICONDUCTOR
LM2917M				149.88
LM2917M		NSC
LM2917M		ВЕЛИКОБРИТАНИЯ
LM2917M		4-7 НЕДЕЛЬ	580
STR-F6264		SANKEN	40	519.23
STR-F6264
TC89101P	EEPROM 1K (64x16/128x8)	TOSHIBA	26	160.06
TC89101P	EEPROM 1K (64x16/128x8)	TOS
TC89101P	EEPROM 1K (64x16/128x8)			170.52
TC89101P	EEPROM 1K (64x16/128x8)	1
TC89101P	EEPROM 1K (64x16/128x8)	4-7 НЕДЕЛЬ	442