IRF7316

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRF7316 (INTERNATIONAL RECTIFIER)	400	71.05
IRF7316 (TECH PUB)	1 885	18.03

Версия для печати

Технические характеристики IRF7316

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	HEXFET®
FET Type	2 P-Channel (Dual)
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	58 mOhm @ 4.9A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	4.9A
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	34nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	710pF @ 25V
Power - Max	2W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SO

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRF7316

30V Dual P-channel HexFET Power MOSFET inA SO-8 Package

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

IRF7316 datasheet
103.91Kb
7стр.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
1206 NP0 180PF 5% 50V		SAM
1206 NP0 180PF 5% 50V		КИТАЙ
1206-NP0-220PF 5% 50V	Керамический конденсатор 220 пФ 50 В	KOME
1206-NP0-220PF 5% 50V	Керамический конденсатор 220 пФ 50 В			2.68
AD829JR		ANALOG DEVICES
AD829JR				461.20
AD829JR		Analog Devices Inc
AD829JR		4-7 НЕДЕЛЬ	676
IRF7341	Транзистор полевой N-канальный MOSFET (55V, 4.7A, 2W)	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRF7341	Транзистор полевой N-канальный MOSFET (55V, 4.7A, 2W)		1 808	21.19
IRF7341	Транзистор полевой N-канальный MOSFET (55V, 4.7A, 2W)	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRF7341	Транзистор полевой N-канальный MOSFET (55V, 4.7A, 2W)	ФИЛИППИНЫ
IRF7341	Транзистор полевой N-канальный MOSFET (55V, 4.7A, 2W)	INFINEON
IRF7341	Транзистор полевой N-канальный MOSFET (55V, 4.7A, 2W)	SLKOR	3 576	26.25
IRF7341	Транзистор полевой N-канальный MOSFET (55V, 4.7A, 2W)	24
LMH6624MA		NATIONAL SEMICONDUCTOR
LMH6624MA				411.68
LMH6624MA		NSC
LMH6624MA		NATIONAL SEMICONDUCTOR
LMH6624MA		4-7 НЕДЕЛЬ	332