Версия для печати
Технические характеристики IRF630N

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Серия	HEXFET®
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	300 mOhm @ 5.4A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	9.3A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	35nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	575pF @ 25V
Power - Max	82W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-262-3 (Straight Leads)
Корпус	TO-262

IRF630N (N-канальные транзисторные модули) Power MOSFET (Vdss=200V, Rds (on) =0.30ohm, Id=9.3A) Также в этом файле: IRF630NL, IRF630NS Производитель: International Rectifier //www.irf.com IRF630N datasheet 155.06Kb 11стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		IRF630		Транзистор полевой N-канальный 200В, 9А, 75Вт	INTERNATIONAL RECTIFIER	80	65.59
		IRF630		Транзистор полевой N-канальный 200В, 9А, 75Вт	RECTIFIER
		IRF630		Транзистор полевой N-канальный 200В, 9А, 75Вт	VISHAY
		IRF630		Транзистор полевой N-канальный 200В, 9А, 75Вт	INTERSIL
		IRF630		Транзистор полевой N-канальный 200В, 9А, 75Вт	ST MICROELECTRONICS
		IRF630		Транзистор полевой N-канальный 200В, 9А, 75Вт			43.12
		IRF630		Транзистор полевой N-канальный 200В, 9А, 75Вт	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRF630		Транзистор полевой N-канальный 200В, 9А, 75Вт	INTERSIL	7
		IRF630		Транзистор полевой N-канальный 200В, 9А, 75Вт	STMicroelectronics
		IRF630		Транзистор полевой N-канальный 200В, 9А, 75Вт	Vishay/Siliconix
		IRF630		Транзистор полевой N-канальный 200В, 9А, 75Вт	ФИЛИППИНЫ
		IRF630		Транзистор полевой N-канальный 200В, 9А, 75Вт	MOTOROLA
		IRF630		Транзистор полевой N-канальный 200В, 9А, 75Вт	ST MICROELECTRO
		IRF9630		Транзистор полевой P-MOS 200V, 6.5A, 75W	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRF9630		Транзистор полевой P-MOS 200V, 6.5A, 75W	VISHAY
		IRF9630		Транзистор полевой P-MOS 200V, 6.5A, 75W		618	40.04
		IRF9630		Транзистор полевой P-MOS 200V, 6.5A, 75W	Vishay/Siliconix
		IRF9630		Транзистор полевой P-MOS 200V, 6.5A, 75W	КИТАЙ
		IRF9630		Транзистор полевой P-MOS 200V, 6.5A, 75W	1
		IRG4PC50UD		Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=55A@t=25C, Ic=27A@t=100C, ...	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRG4PC50UD		Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=55A@t=25C, Ic=27A@t=100C, ...			904.00
		IRG4PC50UD		Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=55A@t=25C, Ic=27A@t=100C, ...	ФИЛИППИНЫ
		IRG4PC50UD		Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=55A@t=25C, Ic=27A@t=100C, ...	INFINEON
		IRG4PC50UD		Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=55A@t=25C, Ic=27A@t=100C, ...	IR/VISHAY	15	1 125.45
		UC3843BN		ШИМ-контроллер с управлением по току 30В, 30мА, 500кГц.	ST MICROELECTRONICS	679	21.28
		UC3843BN		ШИМ-контроллер с управлением по току 30В, 30мА, 500кГц.			42.28
		UC3843BN		ШИМ-контроллер с управлением по току 30В, 30мА, 500кГц.	ST MICROELECTRONICS SEMI	24
		UC3843BN		ШИМ-контроллер с управлением по току 30В, 30мА, 500кГц.	STMicroelectronics
		UC3843BN		ШИМ-контроллер с управлением по току 30В, 30мА, 500кГц.	ON Semiconductor
		UC3843BN		ШИМ-контроллер с управлением по току 30В, 30мА, 500кГц.	КИТАЙ
		UC3843BN		ШИМ-контроллер с управлением по току 30В, 30мА, 500кГц.	ST MICROELECTRO
		UC3843BN		ШИМ-контроллер с управлением по току 30В, 30мА, 500кГц.	STMICROELECTR
		UC3843BN		ШИМ-контроллер с управлением по току 30В, 30мА, 500кГц.	ONS-FAIR
		UC3843BN		ШИМ-контроллер с управлением по току 30В, 30мА, 500кГц.	4-7 НЕДЕЛЬ	262
		Д203В
		Д203В			1

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"