|
|
Версия для печати
| Корпус | 8-DIP |
| Корпус (размер) | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Тип монтажа | Выводной |
| Рабочая температура | -40°C ~ 125°C |
| Напряжение питания | 10 V ~ 20 V |
| Высокое Побочное Напряжение - Максимальная (Начальная загрузка) | 600V |
| Число выходов | 2 |
| Число конфигураций | 1 |
| Ток пиковое значение | 1.9A |
| Время задержки | 680ns |
| Тип входа | Non-Inverting |
| Конфигурация | Half Bridge |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
|
IR2184 (Дискретные сигналы) HALF-BRIDGE DRIVER Также в этом файле: IR21844, IR21844S, IR2184S
Производитель:
|
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 0603 2.2 КОМ 5% (RC0603JR-072K2) | YAGEO |
|
|
|||||
|
|
|
IRFB23N20D |
|
Силовой МOSFET транзистор с дискретным N-каналом | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IRFB23N20D |
|
Силовой МOSFET транзистор с дискретным N-каналом |
|
260.00 | ||
|
|
|
IRFB23N20D |
|
Силовой МOSFET транзистор с дискретным N-каналом | INFINEON |
|
|
|
|
|
|
IRFB42N20D |
|
Hexfet power mosfets discrete n-channel | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IRFB42N20D |
|
Hexfet power mosfets discrete n-channel |
|
|
||
|
|
|
IRFB42N20D |
|
Hexfet power mosfets discrete n-channel | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IRFB42N20D |
|
Hexfet power mosfets discrete n-channel | INFINEON |
|
|
|
| MMBT5401 TP | MCC |
|
|
|||||
| VS-30EPF06 | VISHAY |
|
|