Версия для печати
Технические характеристики IR2155

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Конфигурация	Half Bridge
Тип входа	Self Oscillating
Ток пиковое значение	250mA
Число конфигураций	1
Число выходов	2
Высокое Побочное Напряжение - Максимальная (Начальная загрузка)	600V
Напряжение питания	10 V ~ 20 V
Рабочая температура	-40°C ~ 125°C
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	8-DIP (0.300", 7.62mm)
Корпус	8-DIP

IR2155 (Интерфейсы и соединения) Self-oscillating Half-bridge Driver Производитель: International Rectifier //www.irf.com IR2155 datasheet 196.42Kb 6стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Питание

 » 

Драйверы MOSFET (внешнее переключение)

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		IRF1405		Транзистор полевой N-MOS 55V, 133A, 200W	INTERNATIONAL RECTIFIER	400	144.45
		IRF1405		Транзистор полевой N-MOS 55V, 133A, 200W		4	211.68
		IRF1405		Транзистор полевой N-MOS 55V, 133A, 200W	ФИЛИППИНЫ
		IRF1405		Транзистор полевой N-MOS 55V, 133A, 200W	INFINEON
		IRF1405		Транзистор полевой N-MOS 55V, 133A, 200W	UMW-YOUTAI
		IRF1405		Транзистор полевой N-MOS 55V, 133A, 200W	1
		IRF740		N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRF740		N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	VISHAY
		IRF740		N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	ST MICROELECTRONICS
		IRF740		N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А		13	55.50
		IRF740		N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRF740		N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	ST MICROELECTRONICS SEMI
		IRF740		N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	Vishay/Siliconix
		IRF740		N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	STMicroelectronics
		IRF740		N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	КИТАЙ
		IRF740		N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	IR/VISHAY
		IRF740		N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	MINOS	688	25.81
		IRF740		N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	5	1	13.67
		КТ502Б		Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные, для ...		873	5.55
		КТ502Б		Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные, для ...	КРЕМНИЙ	800	13.27
		КТ502Б		Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные, для ...	АЛЕКСАНДРОВ	6 560	6.36
		КТ502Б		Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные, для ...	БРЯНСК	651	8.48
		КТ502Б		Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные, для ...	RUS
		КТ502Б		Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные, для ...	МИНСК	1 106	8.48
		КТ502Б		Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные, для ...	ЭЛЕКС
		КТ502Б		Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные, для ...	ИНТЕГРАЛ
		КТ502Б		Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные, для ...	ДАЛЕКС	560	14.46
		КТ502Б		Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные, для ...	1000
		КТ502Б		Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные, для ...	173
		КТ502Б		Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные, для ...	210
		КТ502Б		Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные, для ...	271
		КТ502Б		Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные, для ...	543
		КТ502Б		Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные, для ...	7800
		КЦ106А				700	7.36
		КЦ106А			ФОТОН
		КЦ106А			СЗТП	26	78.08
		КЦ106А			САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
		КЦ111А-1				1 864	8.28
		КЦ111А-1			ФОТОН
		КЦ111А-1			RUS

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"