GRM21BR71H224K
Керамический ЧИП конденсатор 0.22 мкФ, X7R (10%) 0805
|
|
Версия для печати
| Температурный коэфициент | X7R |
| Номинальное напряжение | 50 В |
| Емкость | 0.22 мкФ |
| Серия | GRM |
| Корпус (размер) | 0805 |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип | Керамический |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2РМД30Б24Ш5В1 | 2 | 1 572.50 | |||||
|
|
2РМД30Б24Ш5В1 | ПОЛТАВА |
|
|
||||
|
|
2РМД30Б24Ш5В1 | ЭЛЕКОН |
|
|
||||
| 78L05AC(SO-8) |
|
|
||||||
 |
TPS76318DBVT | TEXAS INSTRUMENTS | 1 | 40.92 | ||||
|
|
TPS76318DBVT | TEXAS |
|
|
||||
|
|
TPS76318DBVT |
|
68.32 | |||||
|
|
TPS76318DBVT | TEXAS INSTRUMENTS | 145 |
|
||||
|
|
TPS76318DBVT | КИТАЙ |
|
|
||||
|
|
TPS76318DBVT | 4-7 НЕДЕЛЬ | 231 |
|
||||
 |
|
КТ3130А9 |
|
Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц | 336 | 12.68 | ||
|
|
|
КТ3130А9 |
|
Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц | ДАЛЕКС |
|
|
|
|
|
|
КТ3130А9 |
|
Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц | RUS |
|
|
|
|
|
|
КТ3130А9 |
|
Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц | ООО "НПК"ДАЛЕКС" Г. АЛЕКСАНДРОВ |
|
|
|
|
|
|
КТ3130А9 |
|
Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц | АЛЕКСАНДРОВ |
|
|
|
|
|
|
КТ3130А9 |
|
Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц | ИНТЕГРАЛ |
|
|
|
| СШР60П45ЭГ3 РОЗ | 11 | 2 436.00 |
