Версия для печати
Технические характеристики GRM188R72A102K

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	GRM
Емкость	1000pF
Номинальное напряжение	100V
Допустимые отклонения емкости	±10%
Температурный коэфициент	X7R
Тип монтажа	Поверхностный
Рабочая температура	-55°C ~ 125°C
Сфера применения	General Purpose
Корпус (размер)	0603 (1608 Metric)
Size / Dimension	0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)
Thickness	0.035" (0.90mm)
Тип	Керамический

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Конденсаторы

 » 

Керамический

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		1N4743A		Стабилитрон 13В, 1Вт	MICRO SEMICONDUCTOR
		1N4743A		Стабилитрон 13В, 1Вт	FAIR
		1N4743A		Стабилитрон 13В, 1Вт	PHILIPS
		1N4743A		Стабилитрон 13В, 1Вт	MOTOROLA
		1N4743A		Стабилитрон 13В, 1Вт	DC COMPONENTS	11 548	3.39
		1N4743A		Стабилитрон 13В, 1Вт	NXP
		1N4743A		Стабилитрон 13В, 1Вт	FAIRCHILD
		1N4743A		Стабилитрон 13В, 1Вт		4 047	1.59
		1N4743A		Стабилитрон 13В, 1Вт	FAIRCHILD	200
		1N4743A		Стабилитрон 13В, 1Вт	MOTOROLA	312
		1N4743A		Стабилитрон 13В, 1Вт	NXP	5 000
		1N4743A		Стабилитрон 13В, 1Вт	PHILIPS	16 436
		1N4743A		Стабилитрон 13В, 1Вт	Fairchild Semiconductor
		1N4743A		Стабилитрон 13В, 1Вт	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		1N4743A		Стабилитрон 13В, 1Вт	KINGTRON
		1N4743A		Стабилитрон 13В, 1Вт	КИТАЙ
		1N4743A		Стабилитрон 13В, 1Вт	KEISUM	232	7.23
		1N4743A		Стабилитрон 13В, 1Вт	1
		1N4743A		Стабилитрон 13В, 1Вт	XINYA	24	56.70
		1N4743A		Стабилитрон 13В, 1Вт	KEEN SIDE	18 072	1.17
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	FAI/QTC
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	FAIR
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR	800	12.49
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	MOTOROLA
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	NXP
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	PHILIPS
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	TOSHIBA
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	DC COMPONENTS	15 992	6.63
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	FSC
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	UTC
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	DIOTEC	496	4.70
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	МИНСК
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	FAIRCHILD
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	MOTOROLA
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	OTHER
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	NS
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	KEC
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)		5 688	1.07
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	TOSHIBA
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	---
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	NO TRADEMARK
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	MULTICOMP
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	HOTTECH	34	1.48  >100 шт.   0.74
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	KLS
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	КИТАЙ
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	CHINA	9 576	1.17
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	ZH
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	ASEMI	1 867	1.15
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	KEEN SIDE
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	MERRYELC
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	RUME
		HSMH-C170		Субминиатюрный светодиод в корпусе chipled	AGILENT TECHNOLOGIES
		HSMH-C170		Субминиатюрный светодиод в корпусе chipled	AVAGO
		HSMH-C170		Субминиатюрный светодиод в корпусе chipled	AGILENT TECHNOLOGIES
		HSMH-C170		Субминиатюрный светодиод в корпусе chipled	AVAGO TECHNOLOGIES
		HSMH-C170		Субминиатюрный светодиод в корпусе chipled	Avago Technologies US Inc
		HSMH-C170		Субминиатюрный светодиод в корпусе chipled		3	14.80
		HSMH-C170		Субминиатюрный светодиод в корпусе chipled	BRO/AVAG
		HSMH-C170		Субминиатюрный светодиод в корпусе chipled	BROADCOM
		MICRO-SD 8PIN
		ОМЛТ-2-36 КОМ-5%

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"